Van de dienst Elektronische componenten 40N60 IGBT van IC BOM de transistor FGH40N60 FGH40N60SMD
Van de dienst Elektronische componenten 40N60 IGBT van IC BOM de transistor FGH40N60 FGH40N60SMD
Productcategorie: IGBT-Transistorspakket/
Geval: Aan-247 het opzetten
Stijl: Door Gat
Collector-zender Verzadigingsvoltage: 2.1 V
Ononderbroken Collectorstroom bij 25 C: 80 A
Pd - Machtsdissipatie: 349 W
Minimum Werkende Temperatuur: - 55 C
Maximum Werkende Temperatuur: + 150 C
Reeks: FGH40N60SMD verpakkend: Buis
Poort-zender Lekkagestroom: +/- Na 400
Producttype: IGBT-Transistors
De Hoeveelheid van het fabriekspak: 450
Subcategorie: Het Gewicht van de IGBTseenheid: 0,225401 oz
: Hoe lang is uw levertijd? |
Q: Hoe te om de kwaliteit ervoor te zorgen?
A: Al product zal door onze strikte QC afdeling, pakhuis, FAE, Verkoop worden geïnspecteerd alvorens te verschepen.
Q: Wat is de garantie?
A: 1-3 maanden om nieuwe punten kostenloos te vervangen.
1-2 jaar herstellen vrij volgens verschillende producten.
Q: Keurt u OEM ontwerp goed?
A: Ja, wij. Wij kunnen volgens uw vereiste, MOQ gewoonlijk 1-10 ontwerpen.
Q: Vooraf keurt u loon goed 30%?
A: Ja, wij. Wij kunnen beginnen om uw goederen voor te bereiden wanneer 30%-betaling, ontvang en hen na krijgen de rust 70% betaling verzend.
Q: Welke betalingstermijnen die u hebt goedgekeurd?
A: Wij keuren Paypal, T/T, Alibaba-Handel Assuarce, Western Union, Wechat, Alipay, in Contant geld (RMB of USD) goed.
Tevreden om ons te contacteren om voorraadhoeveelheid, prijs, levertijd, E-mail te controleren: sales@cmhk-ic.com
Van de het Lassenmachine IGBT van FGL40N120ANDTU 40A 1200V de Enige Buis NPT aan-264
De Geul IGBT 25A 1200V van FGA25N120ANTD aan-3P NPT
HGTG11N120CND NPT GBT Anti Parallelle Hyperfast Diode 43A 1200V
FGH80N60FDTU FGH80N60FD FGH80N60FD2 aan-247 het Gebiedseinde IGBT Nieuw Origineel IC van 80A 600V
STK621 - 033 N.O. Mosfet van de de Omschakelaarskring van de Machtsmodule Hybride Gevormd het SLOKJEhoogtepunt
Beeld | deel # | Beschrijving | |
---|---|---|---|
Van de het Lassenmachine IGBT van FGL40N120ANDTU 40A 1200V de Enige Buis NPT aan-264 |
IGBT NPT 1200 V 64 A 500 W Through Hole TO-264-3
|
||
De Geul IGBT 25A 1200V van FGA25N120ANTD aan-3P NPT |
IGBT NPT and Trench 1200 V 50 A 312 W Through Hole TO-3P
|
||
HGTG11N120CND NPT GBT Anti Parallelle Hyperfast Diode 43A 1200V |
IGBT NPT 1200 V 43 A 298 W Through Hole TO-247-3
|
||
FGH80N60FDTU FGH80N60FD FGH80N60FD2 aan-247 het Gebiedseinde IGBT Nieuw Origineel IC van 80A 600V |
IGBT Field Stop 600 V 80 A 290 W Through Hole TO-247-3
|
||
STK621 - 033 N.O. Mosfet van de de Omschakelaarskring van de Machtsmodule Hybride Gevormd het SLOKJEhoogtepunt |
Half Bridge (3) Driver AC Motors IGBT 23-SIP
|