Bericht versturen
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Huis
producten
fabrikanten
Ongeveer ons
middelen
Verzend RFQ
downloaden
Huis > producten > elektronische ic spaanders > MURS260T3G de Oppervlakte van energiebeheeric zet Ultrasnelle Machtsgelijkrichters op

MURS260T3G de Oppervlakte van energiebeheeric zet Ultrasnelle Machtsgelijkrichters op

MURS260T3G de Oppervlakte van energiebeheeric zet Ultrasnelle Machtsgelijkrichters op
MURS260T3G de Oppervlakte van energiebeheeric zet Ultrasnelle Machtsgelijkrichters op
fabrikant:
ON Semi / Katalysator Semi
Beschrijving:
Diode 600 de Oppervlakte van V 2A zet SMB op
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiation
Betalingswijze:
T/T, Western Union, BORG
Specificaties
Voltage - gelijkstroom-Omgekeerde ((Maximum) Vr):
600V
Huidig - Gerectificeerd Gemiddelde (Io):
2A
Voltage - door:sturen ((Maximum) Vf) @ als:
1.45V @ 2A
Snelheid:
Snelle Terugwinning =< 500ns, > 200mA (Io)
Omgekeerde Terugwinningstijd (trr):
75ns
Huidig - Omgekeerde Lekkage @ Vr:
5µA @ 600V
Pakket/Geval:
-214AA, SMB
Werkende Temperatuur - Verbinding:
-65°C ~ 175°C
Hoogtepunt:

power control ic

,

digital power ic

Inleiding

MURS260T3G Power Management IC Superface Mount Ultrafast Power Rectifiers

Oppervlak gemonteerde ultrasnelle krachtrectificatoren

Ideaal geschikt voor hoogspanning, hoogfrequente rectificatie of als vrijwielende en beschermende diodes in toepassingen voor oppervlaktebevestiging waar compacte afmetingen en gewicht van cruciaal belang zijn voor het systeem.

Kenmerken

• Pb-vrij pakket beschikbaar

• Kleine compacte oppervlakte montagepakket met J-Bend leidingen

• Rechthoekig pakket voor geautomatiseerde verwerking

• Hoogtemperatuurglas passief verbinding

• lage voorspanningsdaling (1,20 Volt max @ 2,0 A, TJ = 150°C)

Mechanische kenmerken

• Hoes: epoxy, gegoten

• Gewicht: 95 mg (ongeveer)

• Afwerking: Alle oppervlakken zijn corrosiebestendig en de eindleidingen zijn gemakkelijk te solderen

• Temperatuur van lood en montageoppervlak voor soldeerdoeleinden: maximaal 260°C gedurende 10 seconden

• Polariteit: Polariteitsband geeft kathodelood aan

Productkenmerken Selecteer alle
Vervaardiging ON halfgeleider
Reeks -
Status van onderdelen Actief
Diodetype Standaard
Voltage - gelijkstroom omgekeerd (Vr) (max) 600 V
Stroom - Gemiddeld gerectificeerd (Io) 2A
Spanning - naar voren (Vf) (max) @ Als 1.45V @ 2A
Versnelling Vinnige herstel = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Omgekeerde hersteltijd (trr) 75 ns
Stroom - omgekeerd lek @ Vr 5 μA @ 600V
Montage-type Oppervlakte
Pakket / doos DO-214AA, SMB
Verpakking van de leverancier MKB
Werktemperatuur - kruising -65°C ~ 175°C

VERWANTE PRODUCTEN
Het Voltageregelgevers van MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 Zener

Het Voltageregelgevers van MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 Zener

Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Voorbijgaande het Voltageontstoringsapparaten van SMBJ18A -214AA SMBJ Transzorb

Voorbijgaande het Voltageontstoringsapparaten van SMBJ18A -214AA SMBJ Transzorb

Clamp Ipp Tvs Diode
Van het Voltageregelgevers van BZX84C12LT1G Zener de de diode225mw SOT−23 Oppervlakte zet op

Van het Voltageregelgevers van BZX84C12LT1G Zener de de diode225mw SOT−23 Oppervlakte zet op

Zener Diode 12 V 250 mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
MUR1620CTG Ultrasnelle de Machtsgelijkrichters 100−600V van de schakelaarwijze 16A

MUR1620CTG Ultrasnelle de Machtsgelijkrichters 100−600V van de schakelaarwijze 16A

Diode Array 1 Pair Common Cathode 200 V 8A Through Hole TO-220-3
De Bipolaire NPN PNP Transistors aan-3P van NJW0281G 50W

De Bipolaire NPN PNP Transistors aan-3P van NJW0281G 50W

Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
Dubbele MOCD213M 2500Vrms SOIC8 - kanaalfototransistor

Dubbele MOCD213M 2500Vrms SOIC8 - kanaalfototransistor

Optoisolator Transistor Output 2500Vrms 2 Channel 8-SOIC
MJE340G middelhoogvermogen het Siliciumtransistor van 0.5A 300V 20W NPN

MJE340G middelhoogvermogen het Siliciumtransistor van 0.5A 300V 20W NPN

Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 20 W Through Hole TO-126
Van de Computeric Chip Logic Gate Optocouplers For van HCPL0600R2 10bps de Verwijdering van de de Grondlijn

Van de Computeric Chip Logic Gate Optocouplers For van HCPL0600R2 10bps de Verwijdering van de de Grondlijn

Logic Output Optoisolator 10Mbps Open Collector 3750Vrms 1 Channel 5kV/µs CMTI 8-SOIC
van het Voltageregelgevers van 200mW 18V SOD−323 Zener de Diode MM3Z18VT1G

van het Voltageregelgevers van 200mW 18V SOD−323 Zener de Diode MM3Z18VT1G

Zener Diode 18 V 300 mW ±6% Surface Mount SOD-323
74OL6011 van de Isolatoric 15MBd van de logicaoutput Opto van de de Hoge snelheidsoptokoppeling Open Collector

74OL6011 van de Isolatoric 15MBd van de logicaoutput Opto van de de Hoge snelheidsoptokoppeling Open Collector

Logic Output Optoisolator 15MBd Open Collector, Schottky Clamped 5300Vrms 1 Channel 5kV/µs CMTI 6-DIP
Beeld deel # Beschrijving
Het Voltageregelgevers van MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 Zener

Het Voltageregelgevers van MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 Zener
Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Voorbijgaande het Voltageontstoringsapparaten van SMBJ18A -214AA SMBJ Transzorb

Voorbijgaande het Voltageontstoringsapparaten van SMBJ18A -214AA SMBJ Transzorb
Clamp Ipp Tvs Diode
Van het Voltageregelgevers van BZX84C12LT1G Zener de de diode225mw SOT−23 Oppervlakte zet op

Van het Voltageregelgevers van BZX84C12LT1G Zener de de diode225mw SOT−23 Oppervlakte zet op
Zener Diode 12 V 250 mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
MUR1620CTG Ultrasnelle de Machtsgelijkrichters 100−600V van de schakelaarwijze 16A

MUR1620CTG Ultrasnelle de Machtsgelijkrichters 100−600V van de schakelaarwijze 16A
Diode Array 1 Pair Common Cathode 200 V 8A Through Hole TO-220-3
De Bipolaire NPN PNP Transistors aan-3P van NJW0281G 50W

De Bipolaire NPN PNP Transistors aan-3P van NJW0281G 50W
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
Dubbele MOCD213M 2500Vrms SOIC8 - kanaalfototransistor

Dubbele MOCD213M 2500Vrms SOIC8 - kanaalfototransistor
Optoisolator Transistor Output 2500Vrms 2 Channel 8-SOIC
MJE340G middelhoogvermogen het Siliciumtransistor van 0.5A 300V 20W NPN

MJE340G middelhoogvermogen het Siliciumtransistor van 0.5A 300V 20W NPN
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 20 W Through Hole TO-126
Van de Computeric Chip Logic Gate Optocouplers For van HCPL0600R2 10bps de Verwijdering van de de Grondlijn

Van de Computeric Chip Logic Gate Optocouplers For van HCPL0600R2 10bps de Verwijdering van de de Grondlijn
Logic Output Optoisolator 10Mbps Open Collector 3750Vrms 1 Channel 5kV/µs CMTI 8-SOIC
van het Voltageregelgevers van 200mW 18V SOD−323 Zener de Diode MM3Z18VT1G

van het Voltageregelgevers van 200mW 18V SOD−323 Zener de Diode MM3Z18VT1G
Zener Diode 18 V 300 mW ±6% Surface Mount SOD-323
74OL6011 van de Isolatoric 15MBd van de logicaoutput Opto van de de Hoge snelheidsoptokoppeling Open Collector

74OL6011 van de Isolatoric 15MBd van de logicaoutput Opto van de de Hoge snelheidsoptokoppeling Open Collector
Logic Output Optoisolator 15MBd Open Collector, Schottky Clamped 5300Vrms 1 Channel 5kV/µs CMTI 6-DIP
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
10 PCS
Neem contact met ons op
Adres: Kamer 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
E-mailen: sales@cmhk-ic.com
Telefoon: 86-755-88367702
producten

De Spaander van flashgeheugenic

Programmeerbare IC-Spaander

De Spaanders van computeric

HOOFDbestuurder ICs

Energiebeheer ICs

Chips met geïntegreerde schakelingen

MCU Microcontroller-eenheid

Vertoningsbestuurder ICs

IGBT-voedingsmodule

De Spaanders van versterkeric
Ongeveer ons
Ongeveer ons ISO-Certificaat Kwaliteitscontrole Privacybeleid Hulpcentrum
Privacybeleid | De Goede Kwaliteit van China De Spaander van flashgeheugenic Leverancier. Copyright © 2023 icmemorychip.com . Alle rechten voorbehoudena.