Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak
fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
De bipolaire Transistor PNP 60 V 3 (van BJT) een Oppervlakte van 50MHz 1 W zet D-Pak op
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiation
Betalingswijze:
T/T, Western Union, BORG
Specificaties
Collector-Base Voltage:
-60V
Collector-zender voltage:
-60V
Emitter-base voltage:
-7V
Huidig-Ononderbroken collector:
-3A
De Dissipatie @TC=25℃ van de collectormacht:
10w
VERBINDINGStemperatuur:
150℃
opslagtemperatuur:
-55~150℃
Pakket:
TO126
Hoogtepunt:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
Inleiding
2SB1261 Transistoren met een PNP-diode voor rectificatie met silicium-epitaxiaal silicium
Beschrijving
·Laag verzamelaarsaturatiespanning
·Hoog vermogen: PC=10W(Max)@TC=25°C
·Aanvulling van type 2SD1899-K
GEBRUIKEN
GEBRUIKEN
·ontworpen voor gebruik in audioversterker en switching, met name in hybride geïntegreerde schakelingen.
VERWANTE PRODUCTEN
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
GDT van GTCA28-151M-R10 10KA 150V de Ceramische Buis CDSS2 van de Gaslossing
Gas Discharge Tube 150 V 10000A (10kA) ±20% 2 Pole Through Hole
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
10 PCS