IRF9540 machtsmosfet ic Machtsmosfet Transistor 19A, 100V, 0,200 Ohm, P-Channel Machtsmosfets
npn smd transistor
,multi emitter transistor
IRF9540, RF1S9540SM
19A, 100V, 0,200 Ohm, P-Channel Machtsmosfets
Dit zijn P-Channel van de het siliciumpoort van de verhogingswijze het effect van het de machtsgebied transistors. Zij zijn geavanceerde machtsmosfets ontworpen, getest die, en wordt gewaarborgd om een gespecificeerd niveau van energie op de wijze van de analyselawine van verrichting te weerstaan. Elk van deze machtsmosfets worden ontworpen voor toepassingen zoals omschakelingsregelgevers, schakelende convertors, motorbestuurders, relaisbestuurders, en bestuurders voor transistors die van de hoge machts de bipolaire omschakeling hoge snelheid en de lage macht van de poortaandrijving vereisen. Zij kunnen direct van geïntegreerde schakelingen worden in werking gesteld.
Vroeger Ontwikkelingstype TA17521.
Eigenschappen
• 19A, 100V
• rDS () = 0.200Ω
• De enige Geschatte Energie van de Impulslawine
• SOA is Power Dissipation Limited
• De Snelheden van de nanosecondeomschakeling
• Lineaire Overdrachtkenmerken
• Hoge Inputimpedantie
• Verwante Literatuur - TB334 „Richtlijnen voor het Solderen Oppervlakte zet Componenten aan PC-Raad op“
Absolute Maximumclassificaties TC = 25℃, tenzij anders gespecificeerd
| PARAMETER | SYMBOOL | IRF9540, RF1S9540SM | EENHEDEN |
| Afvoerkanaal aan Bronvoltage (Nota 1) | VDS | -100 | V |
| Afvoerkanaal aan Poortvoltage (RGS = 20kΩ) (Nota 1) | VDGR | -100 | V |
|
Ononderbroken Afvoerkanaalstroom TC = 100℃ |
Identiteitskaart |
-19 -12 |
A A |
| Gepulseerde Afvoerkanaalstroom (Nota 3) | IDM | -76 | A |
| Poort aan Bronvoltage | VGS | ±20 | V |
| Maximummachtsdissipatie (Figuur 1) | PD | 150 | W |
| Lineaire Derating-Factor (Figuur 1) | 1 | W/℃ | |
| Enige de Energieclassificatie van de Impulslawine (Nota 4) | EAS | 960 | mJ |
| Het werken en Opslagtemperatuur | TJ, TSTG | -55 tot 175 | ℃ |
|
Maximumtemperatuur voor het Solderen Lood bij 0.063in (1.6mm) van Geval voor 10s Het pakketlichaam voor 10s, ziet Techbrief 334 |
TL Tpkg |
300 260 |
℃ ℃ |
VOORZICHTIGHEID: Beklemtoont boven die vermeld in „Absolute Maximumclassificaties“ kan permanente schade aan het apparaat veroorzaken. Dit is een spanning slechts schattend en de verrichting van het apparaat bij deze of een andere voorwaarden boven die vermeld in de operationele secties van deze specificatie is niet impliciet.
NOTA: 1. TJ = 25℃ aan 150℃.
Symbool
Verpakking
JEDEC AAN-220AB JEDEC AAN-263AB
Testkringen en Golfvormen
Hete voorraadaanbieding (verkoop)
| Artikelnummer. | Q'ty | MFG | D/C | Pakket |
| L8581AAE | 2861 | LUCENT | 15+ | SOP16 |
| NUD4001DR2G | 5160 | OP | 10+ | Soppenen-8 |
| LM431SCCMFX | 40000 | FAI | 14+ | Dronkaard-23-3 |
| 40TPS12APBF | 2960 | VISHAY | 13+ | Aan-247 |
| MMBT5089LT1G | 40000 | OP | 16+ | Dronkaard-23 |
| MAX8505EEE+ | 8529 | STELREGEL | 16+ | QSOP |
| MAX1556ETB+T | 5950 | STELREGEL | 16+ | QFN |
Het BEETJE Winbond TW SPI van W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G
PF48F4400P0VBQEK Nieuwe en originele voorraden
DSPIC30F3011-30I/PT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD van flashgeheugenic
IR2110PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
De Spaander van het Flashgeheugenic van S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG periodieke Flitsspaander 3V het Geheugengeïntegreerde schakeling van Spi van de 8M BEETJE Dubbele Vierling
MOS Tube Field Effect Single-Chip-Aandrijvingspwm Controlador Module IRF520
MAX485, RS485-Module TTL aan rs-485 Module TTL aan 485