| Beeld | deel # | Beschrijving | fabrikant | Voorraad | RFQ |
|---|
|
|
IRG4PC40WPBF Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT 600 V 40 A 160 W door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRG4BC40UPBF Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT 600 V 40 A 160 W Through-hole TO-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRG4PH40UDPBF Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT 1200 V 41 A 160 W door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRG4PH50UDPBF Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT 1200 V 45 A 200 W door Gat aan-247AC
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
IRG4PC50UPBF Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT 600 V 55 A 200 W door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRG4PC50WPBF Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT 600 V 55 A 200 W door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRG4PF50WDPBF Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT 900 V 51 A 200 W door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRGP35B60PDPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT NPT 600 V 60 A 308 W door Gat aan-247AC
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
IRG4IBC20UDPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT 600 V 11,4 A 34 W door Gat aan-220AB volledig-Pak
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRG4PC50KDPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT 600 V 52 A 200 W door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRG4PC50UDPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT 600 V 55 A 200 W door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRG4PF50WPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT 900 V 51 A 200 W door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRG4PH50UDPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT 1200 V 45 A 200 W door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRG4PC50UPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT 600 V 55 A 200 W door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRGIB10B60KD1P gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT NPT 600 V 16 A 44 W door Gat aan-220AB volledig-Pak
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRGP50B60PDPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT NPT 600 V 75 A 370 W door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT NPT 600 V 75 A 390 W door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRGP20B60PDPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT NPT 600 V 40 A 220 W door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRGP35B60PDPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT NPT 600 V 60 A 308 W door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRGB6B60KDPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT NPT 600 V 13 A 90 W door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRGS10B60KDTRRP gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT NPT 600 V 22 een 156 w-Oppervlakte zet D2PAK op
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRGP4660D-EPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT 600 V 100 A 330 W door Gat aan-247AD
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRGP4062DPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT-Geul 600 V 48 A 250 W door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRGP4068DPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT-Geul 600 V 96 A 330 W door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRGI4061DPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT-Geul 600 V 20 A 43 W door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRAM136-1061A2 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
Machtsbestuurder Module IGBT 3 Fase 600 de Module van V 12 A 29-PowerSSIP, 21 Lood, Gevormde Lood
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRGB4061DPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT-Geul 600 V 36 A 206 W door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
IRGB4062DPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT-Geul 600 V 48 A 250 W door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
TPS51916EVM-746 volledige van de het Geheugenmacht van DDR2 DDR3 DDR3L en DDR4-de Oplossings Synchrone Bok GRM32ER60J107ME20L
|
TPS51916 D-CAP™, D-CAP2™ DC/DC Voor speciale doeleinden, het Geheugen van Ddr levert 1, niet-Geïsole
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
MPX5010DP de IC Geïntegreerde Sensor van de Siliciumdruk op Chip Signal Conditioned
|
Het Differentiële Mannetje van de druksensor 1.45PSI (10kPa) - 0,19“ (4.93mm) Buis, Dubbele 0,2 het
|
NXP
|
|
|
|
|
PTH04070WAZ 3-a, de 3.3/5-v INGEVOERDE REGELBARE elektronische spaanplaat van de OMSCHAKELINGSregelgever
|
Niet-geïsoleerde Convertor 1 Output 0,9 ~ 3.6V 3A 3V van PoL Module gelijkstroom gelijkstroom - 5.5V
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
MPX5100AP de de Leveranciershoge snelheid van IC Chips Electronics China Golden IC van de druksensor KAN Zendontvanger
|
Het Absolute Mannetje van de druksensor 2.18PSI ~ 16.68PSI (15kPa ~ 115kPa) - 0,19“ (4.93mm) Buis 0,
|
NXP
|
|
|
|
|
S3b-ph-sm4-TB (ALS) (Sn) van de de Gelijkrichterdiode van IC van de Druksensor het Programma ic Chip Memory IC
|
De Oppervlakte van de schakelaarkopbal zet, Rechte hoek 3 positie 0,079“ op (2.00mm)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
0878321420 Mosfet de Elektronika ICs Chip Integarted Circuts van de Machtsmodule
|
De Oppervlakte van de schakelaarkopbal zet 14 positie 0,079“ (2.00mm) op
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
FGL40N120ANDTU Mosfet transistors van de het siliciummacht van de Machtsmodule de bijkomende
|
IGBT
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
FSBB30CH60F Mosfet thyristor van de Machtsmodule Module van de diode de Slimme Macht
|
Machtsbestuurder Module IGBT 3 Fase 600 de Module van V 30 A 27-PowerDIP (1,205“, 30.60mm)
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|
|
|
IXFN38N100Q2 Mosfet thyristor van de Machtsmodule N-Channel van de diodemodule MOSFET
|
N-Channel de Chassis 1000 van V 38A (Tc) 890W (Tc) zet dronkaard-227B op
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
Van de de Machtsmodule van BSM50GP120BOSA1 IGBT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT-module 3-fasenomvormer 1200 V 80 A Chassismontagemodule
|
Infineon
|
|
|
|
|
Van de de Machtsmodule van versus-40HFL60S05 IGBT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
Diode 600 V 40A Chassis, stiftbevestiging DO-203AB (DO-5)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
Van de de Machtsmodule van versus-T70HFL60S05 IGBT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
Diode 600 V 70A Chassisbevestiging D-55
|
VISHAY
|
|
|
|
|
Van de de Machtsmodule van FF200R17KE3HOSA1 IGBT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
IGBT-module Trench Field Stop Halve brug 1700 V 310 A 1250 W Module voor chassismontage
|
Infineon
|
|
|
|
|
Van de de Machtsmodule van KWD10-1212 IGBT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
Gesloten AC DC-converters 2 Output 12V 450mA, 450mA 85 ~ 265 VAC Input
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
Van de de Machtsmodule van versus-160MT160KPBF IGBT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
Bruggelijkrichter Driefasig standaard 1,6 kV Chassismontage MT-K
|
VISHAY
|
|
|
|
|
Van de de Machtsmodule van DDB6U144N16RBPSA1 IGBT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
Bruggelijkrichter Driefasige standaard 1,6 kV Chassismontage AG-ECONO2A
|
Infineon
|
|
|
|
|
Van de de Machtsmodule van PS21767 IGBT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
Power Driver Module IGBT 3 fasen 600 V 30 A 38-PowerDIP-module (1,413", 35,90 mm)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
Van de de Machtsmodule van PS21765 IGBT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
Power Driver Module IGBT 3 fasen 600 V 20 A 38-PowerDIP-module (1,413", 35,90 mm)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
Van de de Machtsmodule van CS241250 IGBT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
Diode 1200 V 50A Chassismontage POW-R-BLOK™-module
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
Ph150s280-5 IGBT-de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD van de Machtsmodule
|
Geïsoleerde module DC DC-omzetter 1 uitgang 5V 30A 200V - 400V ingang
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
Ph100s280-5 IGBT-de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD van de Machtsmodule
|
Geïsoleerde module DC DC-omzetter 1 uitgang 5V 20A 200V - 400V ingang
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
Van de de Machtsmodule van PF500A-360 IGBT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
Gesloten AC/DC-omvormers 1 Uitgang 360V 1.4A 85 ~ 265 VAC Ingang
|
Vervaardiging
|
|
|
