Diotechalfgeleider
- Inleiding
- Nieuwste Producten
Inleiding
Diotechalfgeleider
Nieuwste Producten
| Beeld | deel # | Beschrijving | fabrikant | Voorraad | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BAS40-05 CHIP-DIODE NIEUW EN ORIGINAAL |
De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 40 de Oppervlakte van V 200mA zet aan-236-3, Sc-59,
|
|
|
|
|
|
|
BAS70-05 Hoogspanningsdiode Nieuw en origineel |
De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 70 de Oppervlakte van V 70mA zet aan-236-3, Sc-59, d
|
|
|
|
|
|
|
BAS40-06 Chipdiode NUWE EN ORIGINALE voorraad |
De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Anode 40 de Oppervlakte van V 200mA zet aan-236-3, Sc-59, dr
|
|
|
|
|
|
|
BAT54SW Nieuwe en oorspronkelijke bestanden |
De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks 30 de Oppervlakte van V 200mA zet Sc-70, dronkaard-323 o
|
|
|
|
|
|
|
BAT54W Nieuwe en oorspronkelijke bestanden |
Diode 30 de Oppervlakteonderstel dronkaard-323 van V 200mA
|
|
|
|
|
|
|
BAV21 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diode 200 V 200mA door Gat -35
|
|
|
|
|
|
|
BAV20 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diode 150 V 250mA Through-hole DO-35
|
|
|
|
|
|
|
BC846BW Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
De bipolaire Transistor NPN 65 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BAT54CW Nieuwe en oorspronkelijke bestanden |
De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 30 de Oppervlakte van V 200mA zet Sc-70, dronkaard-3
|
|
|
|
|
|
|
De in de bijlage bij Verordening (EG) nr. 1907/2006 vermelde gegevens moeten worden opgeslagen. |
Diode 30 de Oppervlakteonderstel dronkaard-23-3 van V 200mA (aan-236)
|
|
|
|
|
|
|
BAV21 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diode 200 V 250mA door Gat -35
|
|
|
|
|
|
|
BAV21 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diode 200 V 250mA door Gat -35
|
|
|
|
|
|
|
BAV99 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks 75 de Oppervlakte van V 215mA zet aan-236-3, Sc-59, dron
|
|
|
|
|
|
|
BAV99W Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diodearray 1 paar serieschakeling 70 V 200mA Opbouwmontage SC-70, SOT-323
|
|
|
|
|
|
|
BCP53-10 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden |
De bipolaire Transistor PNP 80 V 1 een 120MHz 1,3 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BCP53-10 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden |
De bipolaire Transistor PNP 80 V 1 een 120MHz 1,3 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden |
De bipolaire Transistor PNP 80 V 1 een 120MHz 1,3 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BCP55-10 Nieuwe en originele voorraden |
De bipolaire Transistor NPN 60 V 1 een 100MHz 1,3 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BCP55-10 Nieuwe en originele voorraden |
De bipolaire Transistor NPN 60 V 1 een 100MHz 1,3 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BCP55-16 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden |
De bipolaire Transistor NPN 60 V 1 een 100MHz 1,3 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BCP55-16 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden |
De bipolaire Transistor NPN 60 V 1 een 100MHz 1,3 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 Nieuwe en originele voorraden |
De bipolaire Transistor NPN 80 V 1 een 100MHz 2 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BCP56-16 Nieuwe en originele voorraden |
De bipolaire Transistor NPN 80 V 1 een 100MHz 2 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BC847BW Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BC856BW Power Transistor Nieuw en origineel |
De bipolaire Transistor PNP 65 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BC856S Verstelbare inductor Nieuwe en originele voorraad |
Bipolaire de Transistorserie de Oppervlakteonderstel dronkaard-363 (van BJT) 2 van PNP (Dubbele) 65V
|
|
|
|
|
|
|
BC857BW Nieuwe en originele voorraden |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
|
|
|
|
|
|
|
BC857BW Nieuwe en originele voorraden |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
|
|
|
|