Van de de Versterkerhoogspanning van het siliciumnpn Algemene Doel de Transistor MMBT5551
MMBT5551 High Voltage Transistor
,NPN Amplifier High Voltage Transistor
,NPN Silicon High Voltage Transistor
Dronkaard-23 - Machtstransistor en DarliCM GROUPons
Artikelnummer
BC807-T CMBTA56-T CMBT4403-T CMBTA06 CMBT3906-T CMBT3906 CMBTA56 CMBTA42-T CMBT4401-T
CMBTA42 CMBT3904 CMBT4403 CMBTA92 CMBT5551 CMBT5401 CMBT5551-T CMBT3904-T CMBTA92-T
CMBTA06-T CMBT5401-T CMBT4401 CMBT9014 MMBT5551
Elektrokenmerken
Mfr. # |
MMBT5551 |
Opzettende Stijl | SMD/SMT |
Transistorpolariteit | NPN |
Configuratie | Kies uit |
Het Maximum Voltage VCEO van de collectorzender | 160 V |
Het Voltage van de collectorbasis VCBO | 180 V |
Het Voltage van de zenderbasis VEBO | 6 V |
Collector-zender Verzadigingsvoltage | 0,2 V |
Maximumgelijkstroom-Collectorstroom | 0,6 A |
Pd - Machtsdissipatie | 325 mw |
Het Product voet van de aanwinstenbandbreedte | 300 Mhz |
Minimum Werkende Temperatuur | - 55 C |
Maximum Werkende Temperatuur | + 150 C |
De Collector/de Basisaanwinst hfe Min van gelijkstroom | 80 bij 10 mA, 5 V |
De Huidige Maximum Aanwinst van gelijkstroom hFE | 250 bij 10 mA, 5 V |
Producttype | BJTs - Bipolaire Transistors |
Elektrokenmerken (bij Ta = 25°C tenzij anders gespecificeerd)