Van de de Versterkerhoogspanning van het siliciumnpn Algemene Doel de Transistor MMBT5551
MMBT5551 High Voltage Transistor
,NPN Amplifier High Voltage Transistor
,NPN Silicon High Voltage Transistor
Dronkaard-23 - Machtstransistor en DarliCM GROUPons
Artikelnummer
BC807-T CMBTA56-T CMBT4403-T CMBTA06 CMBT3906-T CMBT3906 CMBTA56 CMBTA42-T CMBT4401-T
CMBTA42 CMBT3904 CMBT4403 CMBTA92 CMBT5551 CMBT5401 CMBT5551-T CMBT3904-T CMBTA92-T
CMBTA06-T CMBT5401-T CMBT4401 CMBT9014 MMBT5551
Elektrokenmerken
Mfr. # |
MMBT5551 |
Opzettende Stijl | SMD/SMT |
Transistorpolariteit | NPN |
Configuratie | Kies uit |
Het Maximum Voltage VCEO van de collectorzender | 160 V |
Het Voltage van de collectorbasis VCBO | 180 V |
Het Voltage van de zenderbasis VEBO | 6 V |
Collector-zender Verzadigingsvoltage | 0,2 V |
Maximumgelijkstroom-Collectorstroom | 0,6 A |
Pd - Machtsdissipatie | 325 mw |
Het Product voet van de aanwinstenbandbreedte | 300 Mhz |
Minimum Werkende Temperatuur | - 55 C |
Maximum Werkende Temperatuur | + 150 C |
De Collector/de Basisaanwinst hfe Min van gelijkstroom | 80 bij 10 mA, 5 V |
De Huidige Maximum Aanwinst van gelijkstroom hFE | 250 bij 10 mA, 5 V |
Producttype | BJTs - Bipolaire Transistors |
Elektrokenmerken (bij Ta = 25°C tenzij anders gespecificeerd)

Het BEETJE Winbond TW SPI van W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G

PF48F4400P0VBQEK Nieuwe en originele voorraden

DSPIC30F3011-30I/PT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD van flashgeheugenic

IR2110PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

De Spaander van het Flashgeheugenic van S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

W25Q80DVSNIG periodieke Flitsspaander 3V het Geheugengeïntegreerde schakeling van Spi van de 8M BEETJE Dubbele Vierling

MOS Tube Field Effect Single-Chip-Aandrijvingspwm Controlador Module IRF520

MAX485, RS485-Module TTL aan rs-485 Module TTL aan 485
