Bericht versturen
Huis > producten > De Spaander van flashgeheugenic > 2N7002LT1G n-Kanaalmosfet Transistor, 115mA Mos Field Effect Transistor

2N7002LT1G n-Kanaalmosfet Transistor, 115mA Mos Field Effect Transistor

fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
N-Channel de Oppervlakteonderstel dronkaard-23-3 60 van V 115mA (Tc) 225mW (Ta) (aan-236)
Categorie:
De Spaander van flashgeheugenic
Prijs:
Contact us
Betalingswijze:
PayPal, Western Union, TT
Specificaties
Producttype:
MOSFET
Subcategorie:
MOSFETs
Minimum Werkende Temperatuur:
- 55 C
Maximum Werkende Temperatuur:
+ 150 C
Rds - afvoerkanaal-Bronweerstand:
7,5 Ohms
Vgsth - poort-Brondrempelvoltage:
1 V
Hoogtepunt:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Inleiding

2N7002LT1G Mosfet MOSFET 60V 115mA van de Machtstransistor N-Channel

Eigenschappen

• 2V prefix voor Automobiel en Andere Toepassingen die Unieke Plaats en Controleveranderingsvereisten vereisen; AEC−Q101 gekwalificeerd en Geschikt PPAP (2V7002L)

• Deze Apparaten zijn Pb−Free, Vrij Halogeen Free/BFR en zijn Volgzame RoHS

MAXIMUMclassificaties

Classificatie

Symbool

Waarde

Eenheid

Drain−Sourcevoltage

VDSS

60

Vdc

Drain−Gatevoltage (RGS = 1,0 mw)

VDGR

60

Vdc

Afvoerkanaalstroom
− Ononderbroken TC = pulseerde Ononderbroken 25°C (Nota 1) − TC = 100°C (Nota 1) − (Nota 2)

Identiteitskaart

IDENTITEITSKAART IDM

± 115 ± 75 ± 800

mAdc

Gate−Sourcevoltage
− Ononderbroken
− Non−repetitive (tp Mej. ≤ 50)

VGS VGSM

± 20 ± 40

Vdc Vpk

THERMISCHE KENMERKEN

Kenmerk

Symbool

Maximum

Eenheid

De totale Raad van de Apparatendissipatie FR−5 (Nota 3) Ta = 25°C
Derate boven 25°C

Thermische Weerstand, Junction−to−Ambient

PD RqJA

225 1,8 556

mw mW/°C °C/W

Totale Apparatendissipatie
(Nota 4) Alumina Substraat, Ta = 25°C Derate boven 25°C

Thermische Weerstand, Junction−to−Ambient

PD RqJA

300 2,4 417

mw mW/°C °C/W

Verbinding en Opslagtemperatuur

TJ, Tstg

− 55 tot +150

°C

VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
Het BEETJE Winbond TW SPI van W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G

Het BEETJE Winbond TW SPI van W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Nieuwe en originele voorraden

PF48F4400P0VBQEK Nieuwe en originele voorraden

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD van flashgeheugenic

DSPIC30F3011-30I/PT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD van flashgeheugenic

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IR2110PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
De Spaander van het Flashgeheugenic van S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

De Spaander van het Flashgeheugenic van S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
W25Q80DVSNIG periodieke Flitsspaander 3V het Geheugengeïntegreerde schakeling van Spi van de 8M BEETJE Dubbele Vierling

W25Q80DVSNIG periodieke Flitsspaander 3V het Geheugengeïntegreerde schakeling van Spi van de 8M BEETJE Dubbele Vierling

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
MOS Tube Field Effect Single-Chip-Aandrijvingspwm Controlador Module IRF520

MOS Tube Field Effect Single-Chip-Aandrijvingspwm Controlador Module IRF520

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485-Module TTL aan rs-485 Module TTL aan 485

MAX485, RS485-Module TTL aan rs-485 Module TTL aan 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 Nieuwe en originele voorraden

SKY65336-11 Nieuwe en originele voorraden

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
Contact us