CSD13381F4 de lage Weerstandsmosfet Enige Configuratie van n-CH Pwr van de Machtstransistor
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
CSD13381F4 Mosfet MOSFET 12V n-CH Pwr van de Machtstransistor MOSFET
1 eigenschappen
- Lage op-Weerstand
-
Lage Qg en Qgd
-
Laag Drempelvoltage
-
Ultra-kleine Voetafdruk (0402 Gevalgrootte)
– 1.0mm×0.6mm
-
Ultra-Low Profiel
– 0,35 mm Hoogte
-
Geïntegreerde ESD Beschermingsdiode
-
– Geschatte >4 kV HBM
-
– Geschatte >2 kV CDM
-
-
Vrij lood en Halogeen
-
Volgzame RoHS
2 toepassingen
-
Geoptimaliseerd voor de Toepassingen van de Ladingsschakelaar
-
Geoptimaliseerd voor de Toepassingen van de Algemeen Doelomschakeling
-
Eencellige Batterijtoepassingen
-
Handbediende en Mobiele Toepassingen
3 beschrijving
Dit 140 mΩ, wordt 12 V-N-channel MOSFET van FemtoFETTM technologie ontworpen en geoptimaliseerd om de voetafdruk in vele handbediende en mobiele toepassingen te minimaliseren. Deze technologie kan standaard kleine signaalmosfets vervangen terwijl het verstrekken van minstens een 60%-vermindering van voetafdrukgrootte.
Productsamenvatting
|
Ta = 25°C |
TYPISCHE WAARDE |
EENHEID |
||
|
VDS |
Afvoerkanaal-aan-bronvoltage |
12 |
V |
|
|
Qg |
Het Totaal van de poortlast (4,5 V) |
1060 |
PC |
|
|
Qgd |
Het poort-aan-Afvoerkanaal van de poortlast |
140 |
PC |
|
|
RDS () |
Afvoerkanaal-aan-bron op-Weerstand |
VGS = 1,8 V |
310 |
mΩ |
|
VGS = 2,5 V |
170 |
mΩ |
||
|
VGS = 4,5 V |
140 |
mΩ |
||
|
VGS (Th) |
Drempelvoltage |
0,85 |
V |
|
Het opdracht geven van tot Informatie
|
Apparaat |
Qty |
Media |
Pakket |
Schip |
|
CSD13381F4 |
3000 |
7-duim Spoel |
Femto (0402) van 1,0 mm x 0,6 mm SMD het Lood minder |
Band en Spoel |
|
CSD13381F4T |
250 |
Absolute Maximumclassificaties
|
Ta = 25°C tenzij anders vermeld |
VALUE |
EENHEID |
|
|
VDS |
Afvoerkanaal-aan-bronvoltage |
12 |
V |
|
VGS |
Poort-aan-bronvoltage |
8 |
V |
|
Identiteitskaart |
Ononderbroken Afvoerkanaalstroom, Ta = 25°C (1) |
2.1 |
A |
|
IDM |
Gepulseerde Afvoerkanaalstroom, Ta = 25°C (2) |
7 |
A |
|
IG |
De ononderbroken Stroom van de Poortklem |
35 |
mA |
|
De gepulseerde Stroom van de Poortklem (2) |
350 |
||
|
PD |
Machtsdissipatie (1) |
500 |
mw |
|
ESD Classificatie |
Menselijk Lichaamsmodel (HBM) |
4 |
kV |
|
Geladen Apparatenmodel (CDM) |
2 |
kV |
|
|
TJ, Tstg |
Werkende Verbinding en Opslagtemperatuurwaaier |
– 55 tot 150 |
°C |
|
EAS |
Lawineenergie, enige impuls identiteitskaart = 7,4 A, L=0.1mH, RG =25Ω |
2.7 |
mJ |
Het BEETJE Winbond TW SPI van W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G
PF48F4400P0VBQEK Nieuwe en originele voorraden
DSPIC30F3011-30I/PT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD van flashgeheugenic
IR2110PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
De Spaander van het Flashgeheugenic van S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG periodieke Flitsspaander 3V het Geheugengeïntegreerde schakeling van Spi van de 8M BEETJE Dubbele Vierling
MOS Tube Field Effect Single-Chip-Aandrijvingspwm Controlador Module IRF520
MAX485, RS485-Module TTL aan rs-485 Module TTL aan 485