FDV301N digitale Mosfet Machtstransistor n-CH OP Halfgeleider 25 V 0,22 Ononderbroken
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
FDV301N Mosfet Digitale MOSFET n-CH van de Machtstransistor
Eigenschappen
- 25 V, 0,22 ononderbroken A, 0,5 een Piek. RDS () =5Ω@VGS=2.7V
- RDS () = 4 Ω @ VGS= 4,5 V.
- Zeer het lage de vereisten van de poortaandrijving direct toestaan
- verrichting in 3V-kringen. VGS (Th) < 1="">
- Poort-bron Zener voor ESD ruwheid. >6kV menselijk Lichaamsmodel
- Vervang de veelvoudige digitale transistors van NPN met één DMOS-FET.
Algemene Beschrijving
Deze N-Channel van de de verhogingswijze van het logicaniveau het gebiedseffect transistor wordt geproduceerd gebruikend merkgebonden, hoge de celdichtheid van Fairchild, DMOS-technologie. Dit zeer hoog - het dichtheidsproces wordt vooral gemaakt om de weerstand van de op-staat te minimaliseren. Dit apparaat is ontworpen vooral voor laag voltagetoepassingen als vervanging voor digitale transistors. Aangezien bias weerstanden niet worden vereist, dit één N-channel kan FET verscheidene verschillende digitale transistors, met verschillende bias weerstandswaarden vervangen.

Het BEETJE Winbond TW SPI van W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G

PF48F4400P0VBQEK Nieuwe en originele voorraden

DSPIC30F3011-30I/PT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD van flashgeheugenic

IR2110PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

De Spaander van het Flashgeheugenic van S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

W25Q80DVSNIG periodieke Flitsspaander 3V het Geheugengeïntegreerde schakeling van Spi van de 8M BEETJE Dubbele Vierling

MOS Tube Field Effect Single-Chip-Aandrijvingspwm Controlador Module IRF520

MAX485, RS485-Module TTL aan rs-485 Module TTL aan 485
