Bericht versturen
Huis > producten > De Spaander van flashgeheugenic > NTMFS4833NT1G Mosfet MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM van de Machtstransistor

NTMFS4833NT1G Mosfet MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM van de Machtstransistor

fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
N-Channel 30 V 16A (Ta), 156A (Tc) 910mW (Ta) de Oppervlakte, van 125W (Tc) zet 5-DFN (5x6) op (8-SO
Categorie:
De Spaander van flashgeheugenic
Prijs:
Contact us
Betalingswijze:
PayPal, Western Union, TT
Specificaties
Fabrikant Kit:
OP halfgeleider
LeCM GROUPe:
4,9 mm
Hoogte:
1,05 mm
Verpakking:
Spoel
Kanaalwijze:
Verhoging
Configuratie:
Kies uit
Hoogtepunt:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Inleiding

NTMFS4833NT1G Mosfet MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM van de Machtstransistor

Eigenschappen

• Lage RDS () om Geleidingsverliezen te minimaliseren
• Lage Capacitieve weerstand om Bestuurder Losses te minimaliseren
• Geoptimaliseerde Poortlast om Omschakelingsverliezen te minimaliseren

• Dit zijn Pb−Free-Apparaten

Toepassingen

• Verwijs naar Toepassingsnotitie AND8195/D

• Cpu-Machtslevering
• DC−DC convertors
• Lage Zijomschakeling

MAXIMUMclassificaties (TJ = 25°C tenzij anders vermeld)

Parameter

Symbool

Waarde

Eenheid

Drain−to−Sourcevoltage

VDSS

30

V

Gate−to−Sourcevoltage

VGS

±20

V

Ononderbroken Afvoerkanaal Huidige RqJA (Nota 1)

Regelmatige Staat

Ta = 25°C

Identiteitskaart

28

A

Ta = 85°C

20.5

Machtsdissipatie RqJA (Nota 1)

Ta = 25°C

PD

2.7

W

Ononderbroken Afvoerkanaal Huidige RqJA (Nota 2)

Ta = 25°C

Identiteitskaart

16

A

Ta = 85°C

12

Machtsdissipatie RqJA (Nota 2)

Ta = 25°C

PD

1.1

W

Ononderbroken Afvoerkanaal Huidige RqJC (Nota 1)

TC = 25°C

Identiteitskaart

191

A

TC = 85°C

138

Machtsdissipatie RqJC (Nota 1)

TC = 25°C

PD

113.6

W

Gepulseerde Afvoerkanaalstroom

Ta = 25°C, tp =10ms

IDM

288

A

Werkende Verbinding en Opslagtemperatuur

TJ, TSTG

−55 aan +150

°C

Bronstroom (Lichaamsdiode)

IS

104

A

Afvoerkanaal aan Bron dV/dt

dV/dt

6

V/ns

Enige de Lawineenergie van Impulsdrain−to−source (TJ =25°C, VDD =30V, VGS =10V, IL = 35 Apk, L = 1,0 MH, RG = 25 W)

EAS

612.5

mJ

Loodtemperatuur voor het Solderen Doeleinden (1/8 ′ ′ van geval voor 10 s)

TL

260

°C

VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
Het BEETJE Winbond TW SPI van W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G

Het BEETJE Winbond TW SPI van W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Nieuwe en originele voorraden

PF48F4400P0VBQEK Nieuwe en originele voorraden

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD van flashgeheugenic

DSPIC30F3011-30I/PT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD van flashgeheugenic

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IR2110PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
De Spaander van het Flashgeheugenic van S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

De Spaander van het Flashgeheugenic van S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
W25Q80DVSNIG periodieke Flitsspaander 3V het Geheugengeïntegreerde schakeling van Spi van de 8M BEETJE Dubbele Vierling

W25Q80DVSNIG periodieke Flitsspaander 3V het Geheugengeïntegreerde schakeling van Spi van de 8M BEETJE Dubbele Vierling

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
MOS Tube Field Effect Single-Chip-Aandrijvingspwm Controlador Module IRF520

MOS Tube Field Effect Single-Chip-Aandrijvingspwm Controlador Module IRF520

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485-Module TTL aan rs-485 Module TTL aan 485

MAX485, RS485-Module TTL aan rs-485 Module TTL aan 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 Nieuwe en originele voorraden

SKY65336-11 Nieuwe en originele voorraden

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
Contact us