CSD17556Q5B Mosfet MOSFET 30V n-CH NexFET van de Machtstransistor Machtsmosfets
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
CSD17556Q5B Mosfet MOSFET 30V n-CH NexFET van de Machtstransistor Machtsmosfets
1 eigenschappen
- Uiterst - lage Weerstand
-
Ultra-Low Qg en Qgd
-
Laag-thermische Weerstand
-
Geschatte lawine
-
Loodvrij Eindplateren
-
Volgzame RoHS
-
Vrij halogeen
-
ZOON 5 mm × het Plastic Pakket van 6 mm
2 toepassingen
-
Punt van Ladings Synchrone Bok in Voorzien van een netwerk, Telecommunicatie, en Gegevensverwerkingssystemen
-
Synchrone Rectificatie
-
Actieve O-ring en Hotswap-Toepassingen
3 beschrijving
Dit 30-v, 1,2 mΩ, wordt 5 de machtsmosfet van mm × 6 mm NexFETTM ontworpen om verliezen in synchrone rectificatie en andere toepassingen van de machtsomzetting te minimaliseren.
Productsamenvatting
|
Ta = 25°C |
TYPISCHE WAARDE |
EENHEID |
||
|
VDS |
Afvoerkanaal-aan-bronvoltage |
30 |
V |
|
|
Qg |
Het Totaal van de poortlast (4,5 V) |
30 |
nC |
|
|
Qgd |
Het poort-aan-Afvoerkanaal van de poortlast |
7.5 |
nC |
|
|
RDS () |
Afvoerkanaal-aan-bron op-Weerstand |
VGS = 4,5 V |
1.5 |
mΩ |
|
VGS =10V |
1.2 |
|||
|
VGS (Th) |
Drempelvoltage |
1.4 |
V |
|
Apparateninformatie
|
APPARAAT |
QTY |
MEDIA |
PAKKET |
SCHIP |
|
CSD17556Q5B |
2500 |
13-duim Spoel |
ZOON 5,00 mm × het Plastic Pakket van 6,00 mm |
Band en Spoel |
|
CSD17556Q5BT |
250 |
Absolute Maximumclassificaties
|
Ta = 25°C |
VALUE |
EENHEID |
|
|
VDS |
Afvoerkanaal-aan-bronvoltage |
30 |
V |
|
VGS |
Poort-aan-bronvoltage |
±20 |
V |
|
Identiteitskaart |
Ononderbroken Afvoerkanaalstroom (Beperkt Pakket) |
100 |
A |
|
Ononderbroken Afvoerkanaalstroom (Beperkt Silicium), TC = 25°C |
215 |
||
|
Ononderbroken Afvoerkanaalstroom (1) |
34 |
||
|
IDM |
Gepulseerde Afvoerkanaalstroom, Ta = 25°C (1) (2) |
400 |
A |
|
PD |
Machtsdissipatie (1) |
3.1 |
W |
|
Machtsdissipatie, TC = 25°C |
191 |
||
|
TJ, Tstg |
Werkende Verbinding, Opslagtemperatuur |
– 55 tot 150 |
°C |
|
EAS |
Lawineenergie, Enige Impulsidentiteitskaart =100A, L=0.1mH, RG =25Ω |
500 |
mJ |

