Si4425ddy-t1-GE3 Mosfet MOSFET -30V Vds 20V Vgs zo-8 van de Machtstransistor
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Si4425ddy-t1-GE3 Mosfet MOSFET -30V Vds 20V Vgs zo-8 van de Machtstransistor
EIGENSCHAPPEN
- Halogeen-vrij volgens de Definitie van CEI 61249-2-21
-
MOSFET van de TrenchFET®macht
-
100% Geteste Rg
TOEPASSINGEN
•Ladingsschakelaars
- Notitieboekjepcs
- Desktoppcs
|
PRODUCTsamenvatting |
|||
|
VDS (v) |
RDS () (Ω) |
Identiteitskaart (A) a |
Qg (Type.) |
|
- 30 |
0,0098 bij VGS = 10 V |
- 19.7 |
nC 27 |
|
0,0165 bij VGS = 4,5 V |
- 15.2 |
||
|
ABSOLUTE MAXIMUMclassificaties Ta = 25 °C, tenzij anders vermeld |
||||
|
Parameter |
Symbool |
Grens |
Eenheid |
|
|
Afvoerkanaal-bronvoltage |
VDS |
- 30 |
V |
|
|
Poort-bronvoltage |
VGS |
± 20 |
||
|
Ononderbroken Afvoerkanaalstroom (TJ = 150 °C) |
TC =25°C |
Identiteitskaart |
- 19.7 |
A |
|
TC =70°C |
- 15.7 |
|||
|
Ta = 25 °C |
- 13b, c |
|||
|
Ta = 70 °C |
- 10.4b, c |
|||
|
Gepulseerde Afvoerkanaalstroom |
IDM |
- 50 |
||
|
Ononderbroken bron-Afvoerkanaal Diodestroom |
TC =25°C |
IS |
- 4.7 |
|
|
Ta = 25 °C |
- 2.1b, c |
|||
|
Maximummachtsdissipatie |
TC =25°C |
PD |
5.7 |
W |
|
TC =70°C |
3.6 |
|||
|
Ta = 25 °C |
2.5b, c |
|||
|
Ta = 70 °C |
1.6b, c |
|||
|
Werkende Verbinding en Opslagtemperatuurwaaier |
TJ, Tstg |
- 55 tot 150 |
°C |
|
|
THERMISCHE WEERSTANDSclassificaties |
|||||
|
Parameter |
Symbool |
Typisch |
Maximum |
Eenheid |
|
|
Maximum verbinding-aan-Ambientb, D |
t ≤ 10 s |
RthJA |
35 |
50 |
°C/W |
|
Maximum verbinding-aan-Voet (Afvoerkanaal) |
Regelmatige Staat |
RthJF |
18 |
22 |
|

