Si7139dp-t1-GE3 Mosfet MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK zo-8 van de Machtstransistor
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Si7139dp-t1-GE3 Mosfet MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK zo-8 van de Machtstransistor
EIGENSCHAPPEN
-
MOSFET van de TrenchFET®macht
-
100% geteste Rg en UIS
• Materieel categoriseren:
TOEPASSINGEN
• Notitieboekjecomputer
- Adapterschakelaar
- Batterijschakelaar
- Ladingsschakelaar
|
PRODUCTsamenvatting |
|||
|
VDS (v) |
RDS () () |
Identiteitskaart (a) |
Qg (TYPE.) |
|
-30 |
0,0055 bij VGS = -10 V |
-40 D |
49.5 nC |
|
0,0090 bij VGS = -4,5 V |
-40 D |
||
|
ABSOLUTE MAXIMUMclassificaties (Ta = 25 °C, tenzij anders vermeld) |
||||
|
PARAMETER |
SYMBOOL |
GRENS |
EENHEID |
|
|
Afvoerkanaal-bronvoltage |
VDS |
-30 |
V |
|
|
Poort-bronvoltage |
VGS |
± 20 |
||
|
Ononderbroken Afvoerkanaalstroom (TJ = 150 °C) |
TC =25°C |
Identiteitskaart |
-40 D |
A |
|
TC =70°C |
-40 D |
|||
|
Ta =25°C |
-22.4 a, B |
|||
|
Ta =70°C |
-17.9 a, B |
|||
|
Gepulseerde Afvoerkanaalstroom |
IDM |
-70 |
||
|
Ononderbroken bron-Afvoerkanaal Diodestroom |
TC =25°C |
IS |
-40 D |
|
|
Ta =25°C |
-4.5 a, B |
|||
|
Lawinestroom |
L = 0,1 MH |
IAS |
30 |
|
|
Single-Pulse Lawineenergie |
EAS |
45 |
mJ |
|
|
Maximummachtsdissipatie |
TC =25°C |
PD |
48 |
W |
|
TC =70°C |
30 |
|||
|
Ta =25°C |
5 a, B |
|||
|
Ta =70°C |
3.2 a, B |
|||
|
Werkende Verbinding en Opslagtemperatuurwaaier |
TJ, Tstg |
-55 tot 150 |
°C |
|
|
Het solderen Aanbevelingen (Piektemperatuur) e, F |
260 |
|||
|
THERMISCHE WEERSTANDSclassificaties |
|||||
|
PARAMETER |
SYMBOOL |
TYPISCH |
MAXIMUM |
EENHEID |
|
|
Maximum verbinding-aan-Omringende a, c |
t 10 s |
RthJA |
20 |
25 |
°C/W |
|
Maximum verbinding-aan-Geval |
Regelmatige Staat |
RthJC |
2.1 |
2.6 |
|

