Si7461dp-t1-GE3 Mosfet MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK zo-8 van de Machtstransistor
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Si7461dp-t1-GE3 Mosfet MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK zo-8 van de Machtstransistor
EIGENSCHAPPEN
- MOSFETs van de TrenchFET®macht
- Materieel categoriseren:
voor definities van naleving te zien gelieve www.vishay.com/doc?99912
|
PRODUCTsamenvatting |
||
|
VDS (v) |
RDS () () |
Identiteitskaart (a) |
|
-60 |
0,0145 bij VGS = -10 V |
-14.4 |
|
0,0190 bij VGS = -4,5 V |
-12.6 |
|
|
ABSOLUTE MAXIMUMclassificaties (Ta = 25 °C, tenzij anders vermeld) |
|||||
|
PARAMETER |
SYMBOOL |
10 s |
REGELMATIGE STAAT |
EENHEID |
|
|
Afvoerkanaal-bronvoltage |
VDS |
-60 |
V |
||
|
Poort-bronvoltage |
VGS |
± 20 |
|||
|
Ononderbroken Afvoerkanaal Huidige (TJ = 150 °C) a |
Ta =25°C |
Identiteitskaart |
-14.4 |
-8.6 |
A |
|
Ta =70°C |
-11.5 |
-6.9 |
|||
|
Gepulseerde Afvoerkanaalstroom |
IDM |
-60 |
|||
|
Ononderbroken Bron Huidige (Diodegeleiding) a |
IS |
-4.5 |
-1.6 |
||
|
Lawinestroom |
L = 0,1 MH |
IAS |
50 |
||
|
De enige Energie van de Impulslawine |
EAS |
125 |
mJ |
||
|
Maximummachtsdissipatie a |
Ta =25°C |
PD |
5.4 |
1.9 |
W |
|
Ta =70°C |
3.4 |
1.2 |
|||
|
Werkende Verbinding en Opslagtemperatuurwaaier |
TJ, Tstg |
-55 tot +150 |
°C |
||
|
Het solderen Aanbevelingen (Piektemperatuur) B, c |
260 |
||||
|
THERMISCHE WEERSTANDSclassificaties |
|||||
|
PARAMETER |
SYMBOOL |
TYPISCH |
MAXIMUM |
EENHEID |
|
|
Maximum verbinding-aan-Omringende a |
t 10 s |
RthJA |
18 |
23 |
°C/W |
|
Regelmatige Staat |
52 |
65 |
|||
|
Maximum verbinding-aan-Geval (Afvoerkanaal) |
Regelmatige Staat |
RthJC |
1 |
1.3 |
|

