Bericht versturen
Huis > producten > De Spaander van flashgeheugenic > Si7461dp-t1-GE3 Mosfet MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK zo-8 van de Machtstransistor

Si7461dp-t1-GE3 Mosfet MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK zo-8 van de Machtstransistor

fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
MOSFET p-CH 60V 8.6A PPAK zo-8
Categorie:
De Spaander van flashgeheugenic
Prijs:
Contact us
Betalingswijze:
PayPal, Western Union, TT
Specificaties
Vgsth - poort-Brondrempelvoltage:
1 V
Identiteitskaart - Ononderbroken Afvoerkanaalstroom:
14.4 A
Vds - afvoerkanaal-Bronanalysevoltage:
60 V
Vgs - poort-Bronvoltage:
10 V
Qg - Poortlast:
nC 121
Pd - Machtsdissipatie:
5.4 W
Hoogtepunt:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Inleiding

Si7461dp-t1-GE3 Mosfet MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK zo-8 van de Machtstransistor

EIGENSCHAPPEN

  • MOSFETs van de TrenchFET®macht
  • Materieel categoriseren:

voor definities van naleving te zien gelieve www.vishay.com/doc?99912

PRODUCTsamenvatting

VDS (v)

RDS () ()

Identiteitskaart (a)

-60

0,0145 bij VGS = -10 V

-14.4

0,0190 bij VGS = -4,5 V

-12.6

ABSOLUTE MAXIMUMclassificaties (Ta = 25 °C, tenzij anders vermeld)

PARAMETER

SYMBOOL

10 s

REGELMATIGE STAAT

EENHEID

Afvoerkanaal-bronvoltage

VDS

-60

V

Poort-bronvoltage

VGS

± 20

Ononderbroken Afvoerkanaal Huidige (TJ = 150 °C) a

Ta =25°C

Identiteitskaart

-14.4

-8.6

A

Ta =70°C

-11.5

-6.9

Gepulseerde Afvoerkanaalstroom

IDM

-60

Ononderbroken Bron Huidige (Diodegeleiding) a

IS

-4.5

-1.6

Lawinestroom

L = 0,1 MH

IAS

50

De enige Energie van de Impulslawine

EAS

125

mJ

Maximummachtsdissipatie a

Ta =25°C

PD

5.4

1.9

W

Ta =70°C

3.4

1.2

Werkende Verbinding en Opslagtemperatuurwaaier

TJ, Tstg

-55 tot +150

°C

Het solderen Aanbevelingen (Piektemperatuur) B, c

260

THERMISCHE WEERSTANDSclassificaties

PARAMETER

SYMBOOL

TYPISCH

MAXIMUM

EENHEID

Maximum verbinding-aan-Omringende a

t  10 s

RthJA

18

23

°C/W

Regelmatige Staat

52

65

Maximum verbinding-aan-Geval (Afvoerkanaal)

Regelmatige Staat

RthJC

1

1.3

VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
Het BEETJE Winbond TW SPI van W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G

Het BEETJE Winbond TW SPI van W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Nieuwe en originele voorraden

PF48F4400P0VBQEK Nieuwe en originele voorraden

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD van flashgeheugenic

DSPIC30F3011-30I/PT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD van flashgeheugenic

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IR2110PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
De Spaander van het Flashgeheugenic van S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

De Spaander van het Flashgeheugenic van S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
W25Q80DVSNIG periodieke Flitsspaander 3V het Geheugengeïntegreerde schakeling van Spi van de 8M BEETJE Dubbele Vierling

W25Q80DVSNIG periodieke Flitsspaander 3V het Geheugengeïntegreerde schakeling van Spi van de 8M BEETJE Dubbele Vierling

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
MOS Tube Field Effect Single-Chip-Aandrijvingspwm Controlador Module IRF520

MOS Tube Field Effect Single-Chip-Aandrijvingspwm Controlador Module IRF520

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485-Module TTL aan rs-485 Module TTL aan 485

MAX485, RS485-Module TTL aan rs-485 Module TTL aan 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 Nieuwe en originele voorraden

SKY65336-11 Nieuwe en originele voorraden

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
Contact us