PIMN31,115 NPN / PNP-resistor uitgerust met transistor 500 MA 50V Dual Gate Transistor
fabrikant:
Nexperia
Beschrijving:
Bipolaire transistor (BJT) 2 NPN - Biolaire transistor (Dual) 50V 500mA 420mW
Categorie:
Elektronische Componenten
Prijs:
Negotiation
Betalingswijze:
T/T, Western Union, BORG
Specificaties
Categorieën:
Bipolaire transistors - (BJT) - pre-Pre-Biased Series,
Huidig - Collector ((Maximum) Ic):
500mA
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender:
50V
Weerstand - Basis (R1):
kOhms 1
Weerstand - Zenderbasis (R2):
10 kOhms
De Huidige Aanwinst van gelijkstroom (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
70 @ 50mA, 5V
(Maximum) Vceverzadiging @ Ib, Ic:
300mV @ 2.5mA, 50mA
Huidig - (Maximum) Collectorscheiding:
500nA
Hoogtepunt:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
Inleiding
HGTG11N120CND NPT-serie N Channel IGBT Anti-parallel Hyperfast Diode 43A 1200V
Beschrijving:
De HGTG11N120CND is een Non-Punch Through (NPT) IGBT-ontwerp.
Dit is een nieuw lid van de MOS gated high voltage switching IGBT familie.
IGBT's combineren de beste eigenschappen van MOSFET's en bipolaire transistors.
Dit apparaat heeft de hoge ingangsimpedantie van een MOSFET en het lage geleidingsverlies van een bipolaire transistor.
Het gebruikte IGBT is het ontwikkeltype TA49291.
De gebruikte diode is van het ontwikkelingstype TA49189.
De IGBT is ideaal voor veel hoogspanningsschakeltoepassingen die op matige frequenties werken
waar lage geleidingsverliezen essentieel zijn, zoals: AC- en DC-motorbesturing, voedingsbronnen en aandrijvers voor magnetronen,
Relais en contactors, voorheen Developmental Type TA49303.
Kenmerken:
• 43A, 1200V, TC = 25oC
• 1200V-Switching SOA-capaciteit
• Typische valtijd. . . . . .340ns bij TJ = 150oC
• Kortsluiting
• Een laag geleidingsverlies
• SPICE-model voor thermische impedantie
VERWANTE PRODUCTEN
BAT 120C,115 Nieuw en oorspronkelijk bestand
Diode Array 1 Pair Common Cathode 25 V 1A (DC) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA
BCP51-16,115 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 1 A 145MHz 1 W Surface Mount SOT-223
2N7002BKS,115 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
Mosfet Array 60V 300mA (Ta) 295mW Surface Mount 6-TSSOP
| Beeld | deel # | Beschrijving | |
|---|---|---|---|
|
|
BAT 120C,115 Nieuw en oorspronkelijk bestand |
Diode Array 1 Pair Common Cathode 25 V 1A (DC) Surface Mount TO-261-4, TO-261AA
|
|
|
|
BCP51-16,115 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 1 A 145MHz 1 W Surface Mount SOT-223
|
|
|
|
2N7002BKS,115 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Mosfet Array 60V 300mA (Ta) 295mW Surface Mount 6-TSSOP
|
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
3000 PCS