Bericht versturen
Huis > producten > De Spaander van flashgeheugenic > M93S46-WMN6TP MICROWIRE seriële toegang EEPROM met blokbeveiliging

M93S46-WMN6TP MICROWIRE seriële toegang EEPROM met blokbeveiliging

fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
EEPROM-Geheugen IC 1Kbit SPI 2 Mhz 8-SOIC
Categorie:
De Spaander van flashgeheugenic
Prijs:
Negotiate
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
VDD-MACHT:
3.3 V, 5 V
Max Operating Temperature:
+ 85°C
Min Operating Temperature:
- 40 °C
Werkende Stroom:
2mA
Maximum voeding -:
5.5V
Voeding - Min:
2,5 V
Verpakking:
Spoel
Reeks:
M93s46-w
Hoogtepunt:

electronics ic chip

,

integrated circuit ic

Inleiding

M93S46-WMN6TP MICROWIRE seriële toegang EEPROM met blokbeveiliging

 

 

KENMERKEN SAMENVATTING

 

Industriestandaard MICROWIRE Bus

Enkele voedingsspanning: – 4,5 tot 5,5 V voor M93Sx6 – 2,5 tot 5,5 V voor M93Sx6-W – 1,8 tot 5,5 V voor M93Sx6-R Enkele organisatie: via Word (x16)

Programmeerinstructies die werken op: Woord of Volledig geheugen

Zelfgetimede programmeercyclus met AutoErase

Door de gebruiker gedefinieerd schrijfbeveiligd gebied

Paginaschrijfmodus (4 woorden)

Gereed/Bezetsignaal tijdens programmeren

 

Snelheid:

– 1 MHz kloksnelheid, 10 ms schrijftijd (huidig ​​product, geïdentificeerd door procesidentificatieletter F of M) – 2 MHz kloksnelheid, 5 ms schrijftijd (nieuw product, geïdentificeerd door procesidentificatieletter W of G) Sequentiële leesbewerking

Verbeterd ESD/Latch-Up-gedrag

Meer dan 1 miljoen wis-/schrijfcycli

Meer dan 40 jaar gegevensbewaring

 

 

 

 

 

SAMENVATTING BESCHRIJVING

 

Deze specificatie omvat een reeks 4K, 2K, 1K bit seriële Electrically Erasable Programmable Memory (EEPROM) producten (respectievelijk voor M93S66, M93S56, M93S46).In deze tekst wordt naar deze producten gezamenlijk verwezen als M93Sx6.

 

 

 

 

 

 

De M93Sx6 is toegankelijk via een seriële ingang (D) en uitgang (Q) met behulp van het MICROWIRE-busprotocol.Het geheugen is verdeeld in 256, 128, 64 x16 bit woorden (respectievelijk voor M93S66, M93S56, M93S46).De M93Sx6 is toegankelijk via een reeks instructies, waaronder Lezen, Schrijven, Paginaschrijven, Alles schrijven en instructies die worden gebruikt om de geheugenbeveiliging in te stellen.Deze zijn samengevat in Tabel 2. en Tabel 3.).Een Read Data from Memory (READ) instructie laadt het adres van het eerste te lezen woord in een interne adresaanwijzer.De gegevens op dit adres worden dan serieel uitgeklokt.De adresaanwijzer wordt automatisch verhoogd nadat de gegevens zijn uitgevoerd en als de Chip Select Input (S) hoog wordt gehouden, kan de M93Sx6 een sequentiële stroom van gegevenswoorden uitvoeren.Op deze manier kan het geheugen worden gelezen als een datastroom van 16 tot 4096 bits (voor de M93S66), of continu als de adresteller automatisch doorloopt naar 00h wanneer het hoogste adres is bereikt.Binnen de tijd die nodig is voor een programmeercyclus (tW), kunnen maximaal 4 woorden worden geschreven met behulp van de Page Write-instructie.het hele geheugen kan ook worden gewist, of op een vooraf bepaald patroon worden ingesteld, door gebruik te maken van de Write All-instructie.Binnen het geheugen kan een door de gebruiker gedefinieerd gebied worden beschermd tegen verdere schrijfinstructies.De grootte van dit gebied wordt bepaald door de inhoud van een Protection Register, dat zich buiten de geheugenarray bevindt.Als laatste beveiligingsstap kunnen gegevens permanent worden beschermd door een One Time Programming-bit (OTP-bit) te programmeren die de inhoud van het Protection Register vergrendelt.Programmeren is intern zelfgetimed (het externe kloksignaal op seriële klok (C) kan worden gestopt of blijven lopen na het begin van een schrijfcyclus) en vereist geen wiscyclus voorafgaand aan de schrijfinstructie.De Write-instructie schrijft 16 bits per keer naar een van de woordlocaties van de M93Sx6, de Page Write-instructie schrijft maximaal 4 woorden van 16 bits naar opeenvolgende locaties, waarbij in beide gevallen wordt aangenomen dat alle adressen buiten het schrijfbeveiligde gebied liggen.Na het begin van de programmeercyclus is er een Busy/Ready-signaal beschikbaar op de seriële gegevensuitgang (Q) wanneer de Chip Select Input (S) hoog wordt aangestuurd.

 

 

 

 

 

VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
Het BEETJE Winbond TW SPI van W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G

Het BEETJE Winbond TW SPI van W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK Nieuwe en originele voorraden

PF48F4400P0VBQEK Nieuwe en originele voorraden

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
DSPIC30F3011-30I/PT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD van flashgeheugenic

DSPIC30F3011-30I/PT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD van flashgeheugenic

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
IR2110PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IR2110PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
De Spaander van het Flashgeheugenic van S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

De Spaander van het Flashgeheugenic van S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
W25Q80DVSNIG periodieke Flitsspaander 3V het Geheugengeïntegreerde schakeling van Spi van de 8M BEETJE Dubbele Vierling

W25Q80DVSNIG periodieke Flitsspaander 3V het Geheugengeïntegreerde schakeling van Spi van de 8M BEETJE Dubbele Vierling

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
MOS Tube Field Effect Single-Chip-Aandrijvingspwm Controlador Module IRF520

MOS Tube Field Effect Single-Chip-Aandrijvingspwm Controlador Module IRF520

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485-Module TTL aan rs-485 Module TTL aan 485

MAX485, RS485-Module TTL aan rs-485 Module TTL aan 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 Nieuwe en originele voorraden

SKY65336-11 Nieuwe en originele voorraden

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
10pcs