TSAL4400 GaAs/GaAlAs IRL die de Infrarode Uitzendende Diode van de Diode Hoge Macht uitzenden
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
TSAL4400 GaAs/GaAlAs IRL die de Infrarode Uitzendende Diode van de Diode Hoge Macht uitzenden
EIGENSCHAPPEN
• Pakkettype: leaded
• Pakketvorm: T-1
• Afmetingen (in mm): ∅ 3
• PiekgolfleCM GROUPe: λp = 940 NM
• Hoge betrouwbaarheid
• Hoge stralende macht
• Hoge stralende intensiteit
• Hoek van halve intensiteit: ϕ = ± 25°
• Laag voorwaarts voltage
• Geschikt voor hoge impuls huidige verrichting
• Goede spectrale aanpassing met Si-fotodetectoren
• Pakketgelijken met detector TEFT4300
• Lood (Pb) - vrije component overeenkomstig RoHS 2002/95/EG en WEEE 2002/96/EG
BESCHRIJVING
TSAL4400 is infrared, 940 NM die diode in GaAlAs/GaAs technologie met hoge stralende macht uitzenden gevormd in een blauw-grijs plastic pakket.
TOEPASSINGEN
• Infrarode afstandsbedieningeenheden
• Vrije luchttransmissiesystemen
• Infrarode bron voor optische tellers en kaartlezers
| HET OPDRACHT GEVEN VAN TOT INFORMATIE | ||||
| HET OPDRACHT GEVEN VAN TOT CODE | VERPAKKING | OPMERKINGEN | PAKKET FORMtr (NS) | |
| TSAL4400 | Massa | MOQ: 5000 PCs, 5000 PCs/massa | T-1 | |
Nota
De beproevingsomstandigheden zien lijst „Basiskenmerken „
| PRODUCTsamenvatting | ||||
| COMPONENT | D.w.z. (mW/sr) | ϕ (gr.) | λP (NM) | RT (NS) |
| TSAL4400 | 30 | ± 25 | 940 | 800 |

