Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders > Siliciumgelijkrichters 1N5408

Siliciumgelijkrichters 1N5408

fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
Diode 1000 V 3A door Gat DO15/DO204AC
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
negotiation
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
Nominale stroom -- Nennstrom:
3 A
Herhaald piek omgekeerd voltage Periodische Spitzensperrspannung:
50… 1000 V
Plastic geval Kunststoffgehäuse:
~ -201
Gewicht ong. -- Gewicht ca.:
1 g
Standaard verpakking vastgebonden in munitie-pak:
zie pagina 16
Standaardlieferform gegurtet in munitie-Pak:
siehe Seite 16
Hoogtepunt:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

Inleiding

Siliciumgelijkrichters Silizium Gleichrichter

Nominale stroom -- Nennstrom 3 A

Herhaald piek omgekeerd voltage 50… 1000 V

Periodische Spitzensperrspannung

Plastic geval ~ -201

Kunststoffgehäuse

Gewicht ong. -- Gewicht ca. 1 g

De kunststof heeft UL-classificatie 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standaard verpakking vastgebonden in munitie-pak zie pagina 16

Standaardlieferform gegurtet in munitie-Pak siehe Seite 16

Maximumclassificaties Grenzwerte

Type

Type

Herhaald piek omgekeerd voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V]

Schommelings piek omgekeerd voltage Stoßspitzensperrspannung

VRSM [V]

1N 5400 50 50
1N 5401 100 100
1N 5402 200 200
1N 5403 300 300
1N 5404 400 400
1N 5405 500 500
1N 5406 600 600
1N 5407 800 800
1N 5408 1000 1000

Max. gemiddelde vooruit gerectificeerde stroom, r-Lading Ta = 50?? ℃ IFAV 3 a1)

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit r-het laatst

De herhaalde piek door:sturen stroom F > 15 Herz IFRM 30 A1)

Periodischer Spitzenstrom

Piek voorwaartse schommelingsstroom, 50/60 Herz halve sinus-golf Ta = 25?? ℃ IFSM A 180/200

Stoßstrom für eine Herz 50/60 sinus-Halbwelle

Het schatten voor het smelten -- Grenzlastintegral, t < 10="" ms="">A = 25?? ℃ i2 t 1662 s

Werkende verbindingstemperatuur -- Sperrschichttemperatur Tj -- 50… +175? ℃

Opslagtemperatuur -- Lagerungstemperatur TS -- 50… +175? ℃

Kenmerken Kennwerte

Voorwaarts voltage -- Durchlaflspannung Tj = 25? ℃ ALS = 3 A VF< 1="">

Lekkagestroom -- Sperrstrom Tj = 25? ℃ VR = VRRM IRL< 10="">

Thermische weerstandsverbinding aan omringende lucht RthA< 25="" K=""> 1)

Wärmewiderstand Sperrschicht -- umgebende Luft

1) Geldig, als de lood bij omgevingstemperatuur bij een afstand van 10 mm van geval worden gehouden

Gültig, wenn matrijs Anschlußdrähte in auf Umgebungstemperatur van 10 mm Abstand von Gehäuse gehalten werden

VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123  van PMEG6010ER 1A

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
500pcs