De oppervlakte zet Schottky-de Gelijkrichterdiode van de Barrièregelijkrichter voor geautomatiseerde plaatsing B360A-E3/61T op
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
De oppervlakte zet Schottky-Barrièregelijkrichter op
EIGENSCHAPPEN
• Laag profielpakket
• Ideaal voor geautomatiseerde plaatsing
• Lage voorwaartse voltagedaling, lage machtsverliezen
• Hoog rendement • Hoog schommelingsvermogen
• Ontmoet MSL-niveau 1, per j-std-020,
ALS maximumpiek van 260 °C
• Soldeerselonderdompeling 260 °C, jaren '40
• Component in overeenstemming met RoHS 2002/95/EG en WEEE 2002/96/EG
TYPISCHE TOEPASSINGEN
Voor gebruik in laag voltage, hoge frequentieomschakelaars, het freewheelen, convertors gelijkstroom-aan-gelijkstroom, en de toepassingen van de polariteitsbescherming.
MECHANISCHE GEGEVENS
Geval: -214AC (SMA) Epoxy ontmoet de brandbaarheidsclassificatie van UL 94V-0
Terminals: Ontmoet de steentin geplateerde lood, solderable per j-std-002 en het achtervoegsel van JESD22-B102 E3 voor de rang van de consument, de test van de de klassen1a bakkebaard van JESD 201
Polariteit: De kleurenband duidt het kathodeeind aan
| MAXIMUMclassificaties (Ta = 25 °C tenzij anders vermeld) | ||||
| PARAMETER | SYMBOOL | B350A | B360A | EENHEID |
| Apparaat dat code merkt | B35 | B36 | V | |
| Maximum herhaald piek omgekeerd voltage | VRRM | 50 | 60 | V |
| Maximum gemiddelde vooruit gerectificeerde stroom (Fig. 1) | ALS (AV) | 3.0 | A | |
| Piek voorwaartse schommelingsstroom 8,3 Mej. enige halve die sinus-golf op geschatte lading wordt toegevoegd | IFSM | 50 | A | |
| Voltagetarief van verandering (geschatte VR) | dV/dt | 10 000 | V/µs | |
| De werkende waaier van de verbindingstemperatuur | TJ, TSTG | - 55 aan + 150 | °C | |
CLASSIFICATIES EN KARAKTERISTIEKEN
(Ta = 25 °C tenzij anders vermeld)
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC