Ultrasnelle Avalanche SMD-brongediode, BYG20J-E3/TR
fabrikant:
VISHAY
Beschrijving:
Diode 600 de Oppervlakte van V 1.5A zet -214AC (SMA) op
Categorie:
Elektronische Componenten
Prijs:
0.1USD
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
Spanning:
200 V aan 600 V
Kenmerken:
Laag profielpakket
Beschrijving:
Het steentin plateerde lood
Temperatuur:
260 °C
Gebruik:
Gelijkrichter
Type:
Diode
Hoogtepunt:
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
Inleiding
BYG20J-E3-TR Diode Ultrafast Avalanche SMD Rectifier
GESCHIEDENIS
• Een laagprofielpakket
• Ideaal voor geautomatiseerde plaatsing
• Glas-passief aansluiting
• Lage omgekeerde stroom
• De kwaliteit van het water
• Ultrasnelle omgekeerde hersteltijd
• Voldoet aan MSL niveau 1, per J-STD-020, LF maximaal piek van
260 °C
• AEC-Q101 gekwalificeerd
• Voldoen aan de RoHS-richtlijn 2002/95/EG en
conform WEEE 2002/96/EG
Mechanische gegevens
Geval:
DO-214AC (SMA)
Vormverbinding voldoet aan UL 94 V-0 ontvlambaarheid
Basis P/N-E3 - RoHS-conform, commercieel kwaliteitsniveau
Basis P/NHE3 - RoHS-conform, AEC-Q101 gekwalificeerd
Terminals:
Matte tinplaat, op elk stuk te solderen
J-STD-002 en JESD 22-B102
E3-suffix voldoet aan JESD 201 klasse 1A snorproef, HE3-suffix
voldoet aan JESD 201 klasse 2 snorproef
Polariteit:
Kleurband duidt het kathoden einde
|
Oorspronkelijke kenmerken
|
|
|
Ik...F (((AV)
|
1.5 A
|
| VRRM | met een vermogen van niet meer dan 300 W |
| Ik...FSM | 30 A |
| Ik...R | 1.0 μA |
| VF | 1.4 V |
| tRR | 75 ns |
| ER | 20 mJ |
| TJmax. | 150 °C |
VERWANTE PRODUCTEN
IRFP9240 Algemene rechtgever Diode P-kanaal met 150W door het gat
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
VO1400AEFTR Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL
Solid State SPST-NO (1 Form A) 4-SOP (0.173", 4.40mm)
VS-60CPQ150PBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel
Diode Array 1 Pair Common Cathode 150 V 30A Through Hole TO-247-3
VS-36MB160A Transistor met veldeffect
Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.6 kV QC Terminal D-34
IRF640PBF veld-effect transistor nieuw en origineel
N-Channel 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
IRF620PBF veld-effect transistor NIEUW EN ORIGINAAL
N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
MBRB10100-E3/8W Nieuwe en originele voorraad
Diode 100 V 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
VERSUS-HFA25PB60PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
Diode 600 V 25A Through Hole TO-247AC Modified
TCMT1107 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP
1N5245B-KRAAN NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
| Beeld | deel # | Beschrijving | |
|---|---|---|---|
|
|
IRFP9240 Algemene rechtgever Diode P-kanaal met 150W door het gat |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
|
|
|
|
VO1400AEFTR Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
Solid State SPST-NO (1 Form A) 4-SOP (0.173", 4.40mm)
|
|
|
|
VS-60CPQ150PBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
Diode Array 1 Pair Common Cathode 150 V 30A Through Hole TO-247-3
|
|
|
|
VS-36MB160A Transistor met veldeffect |
Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.6 kV QC Terminal D-34
|
|
|
|
IRF640PBF veld-effect transistor nieuw en origineel |
N-Channel 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
IRF620PBF veld-effect transistor NIEUW EN ORIGINAAL |
N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MBRB10100-E3/8W Nieuwe en originele voorraad |
Diode 100 V 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
|
|
|
|
VERSUS-HFA25PB60PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 600 V 25A Through Hole TO-247AC Modified
|
|
|
|
TCMT1107 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP
|
|
|
|
1N5245B-KRAAN NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
|
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
5 PCS