IRFZ44NPBF machtsmosfet mosfet van de omschakelingsmacht lage machtsmosfet
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Koerslijst
| UPC1688G | 3000 | NEC | 16+ | Dronkaard-143 |
| VIPER32 | 3000 | ST | 16+ | Onderdompeling-8 |
| VN0300M | 3000 | VISHAY | 16+ | Aan-92 |
| VP0808 | 3000 | VISHAY | 14+ | Aan-92 |
| ZX5T853G | 3000 | ZETEX | 16+ | SOT223 |
| HEF4024BT | 3001 | PHILPS | 16+ | Zo-14 |
| L6565N | 3002 | ST | 15+ | ONDERDOMPELING |
| MCP1700T-3002E/TT | 3002 | MICROCHIP | 16+ | Dronkaard-23 |
| MCP1701AT-1802I/CB | 3003 | MICROCHIP | 15+ | Sot23-3 |
| IRAMX20UP60A | 3004 | IRL | 12+ | Na |
| 74LVC1G384GW | 3005 | 16+ | Dronkaard-353 | |
| TIP102 | 3008 | ST | 12+ | Aan-220 |
| TPS3825-33DBVT | 3008 | Ti | 16+ | Dronkaard-153 |
| H20R1202 | 3033 | 16+ | Aan-247 | |
| IRF7504TR | 3050 | IRL | 16+ | Msop-8 |
| A7800 | 3100 | AVAGO | 16+ | Soppenen-8 |
| H21A1 | 3100 | FAIRCHILD | 16+ | Onderdompeling-4 |
| IRFB52N15D | 3100 | IRL | 14+ | Aan-220 |
| Rtd2660-gr. | 3100 | REALTEK | 16+ | QFP128 |
| SN75C23243DGGR | 3100 | Ti | 16+ | Tssop-48P |
| GT60N321 | 3114 | TOSHIBA | 15+ | AAN - 3PL |
| BTS426L1 | 3120 | 16+ | Aan-263 | |
| CM1213-08 | 3121 | CMD | 15+ | MSOP10 |
| 2N1893 | 3200 | MOT | 12+ | Aan-39 |
| 2SK386 | 3200 | TOSHIBA | 16+ | Aan-220F |
| 74HC377PW | 3200 | 12+ | TSSOP | |
| ADM706SARZ | 3200 | ADVERTENTIE | 16+ | SOP |
| ADP3338-1.8 | 3200 | ADVERTENTIE | 16+ | SOT223 |
| BF513 | 3200 | 16+ | Dronkaard-23 | |
| BS801 | 3200 | HOLTEK | 16+ | Sot23-6 |
| CY7C68013A-128AXI | 3200 | CIPRES | 16+ | LQFP |
| DS2431P | 3200 | STELREGEL | 14+ | Tsoc-6 |
| FEP16DTA | 3200 | FSC | 16+ | Aan-220 |
| L78m06cdt-RT | 3200 | ST | 16+ | Aan-252 |
IRFZ44N
Machtsmosfet mosfet van de omschakelingsmacht lage machtsmosfet
►Geavanceerde Procestechnologie
►Ultra Lage op-Weerstand
►Dynamische dv/dt-Classificatie
►175°C werkende Temperatuur
►Snelle Omschakeling
►Volledig Geschatte Lawine
Beschrijving
Geavanceerde HEXFET® Machtsmosfets van Internationale Gelijkrichter gebruiken geavanceerde verwerkingstechnieken uiterst te bereiken - lage op-weerstand per siliciumgebied. Dit die voordeel, met de snelle omschakelingssnelheid en het ruw gemaakte apparatenontwerp wordt gecombineerd dat HEXFET-machtsmosfets goed - gekend zijn voor, voorziet de ontwerper van een uiterst efficiënt en betrouwbaar apparaat voor gebruik in een grote verscheidenheid van toepassingen.
Pakket aan-220 heeft universeel voor alle commercieel-industriële toepassingen op de niveaus van de machtsdissipatie aan ongeveer 50 watts de voorkeur. De lage thermische weerstand en de lage pakketkosten van aan-220 dragen tot zijn brede goedkeuring door de industrie bij

