Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders > 1N4738A de gelijkrichterdiode, DOET -41 Dioden van Zener van de Silicium Vlakmacht

1N4738A de gelijkrichterdiode, DOET -41 Dioden van Zener van de Silicium Vlakmacht

fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
Zenerdiode 8,2 V 1 W ±5% doorgaand gat DO-41
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiate
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
Machtsdissipatie:
1 W
VERBINDINGStemperatuur:
200 ℃
Opslagtemperatuur:
- 65 aan + 200 ℃
Thermische weerstandsverbinding aan omringende lucht:
170 K/W
Door:sturen Voltage bij ALS = 200 mA:
1.2 V
Pakket:
-41
Hoogtepunt:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Inleiding

Hete voorraadaanbieding (verkoop)

Artikelnummer. Hoeveelheid Merk D/C Pakket
LM339DR 40000 Ti 11+ Soppenen-14
MMBD4148CC 20000 CJ 16+ Dronkaard-23
NX1117C33Z 30000 11+ Dronkaard-223
MCF51QE128CLK 4816 FREESCALE 13+ QFP
P80C32UBAA 9740 PHILIPS 16+ PLCC
X25043ST1 2050 XICOR 09+ Soppenen-8
LM3488MM/NOPB 790 Ti 13+ Msop-8
LM393P 38000 Ti 14+ Onderdompeling-8
OP113ES 5860 ADVERTENTIE 16+ SOP
XC95216-10PQG160I 200 XILINX 10+ QFP160
MT29F2G16ABAEAWP: E 6967 MICRON 14+ TSOP
OP177FSZ-REEL7 5900 ADVERTENTIE 15+ SOP
P89LPC936FDH 10320 15+ TSSOP
XC7A50T-1CSG324I 60 XILINX 15+ BGA
TPS5124DBTR 5291 Ti 15+ Tssop-30
UA78M33CKCS 6831 Ti 15+ Aan-220
TL064IDT 10000 ST 15+ Soppenen-14
TPS61041DBVR 10000 Ti 15+ Sot23-5
TPS5450DDAR 5882 Ti 16+ Soppenen-8
TPS54610PWPR 3872 Ti 15+ HTSSOP28
Tl2844bdr-8 7291 Ti 15+ Soppenen-8
TEMD5110X01 30000 VISHAY 14+ SMD
TPS73250DBVR 8928 Ti 15+ Sot23-5
UC3844D8TR 21029 Ti 16+ Soppenen-8
TS831-3ID 4103 Ti 16+ Msop-10
Upc451g2-e2-a 4827 NEC 15+ Soppenen-14
TLE2426CLPR 9732 Ti 16+ Aan-92
TPS2501DRCR 9827 Ti 14+ Qfn-10
UE06AB6 5242 ST 15+ Qfp-64
TPS650250RHBR 8387 Ti 16+ QFN32

1N4727A… 1N4764A

DIODEN VAN DE SILICIUM DE VLAKmacht ZENER

Absolute Maximumclassificaties (Ta = 25 ℃)

Parameter Symbool Waarde Eenheid
Machtsdissipatie Ptot 1 1) W
Verbindingstemperatuur Tj 200
De Waaier van de opslagtemperatuur TS - 65 aan + 200

1) Geldig op voorwaarde dat bij een afstand van 8 mm van geval leidt worden gehouden bij omgevingstemperatuur.

Kenmerken bij Ta = 25 ℃

Parameter Symbool Max. Eenheid
Thermische Weerstandsverbinding aan Omringende Lucht RthA 170 1) K/W
Door:sturen Voltage bij ALS = 200 mA VF 1.2 V

1) Geldig op voorwaarde dat bij een afstand van 8 mm van geval leidt worden gehouden bij omgevingstemperatuur.

Breakdowmkenmerken

(Gepulseerde) Tj=constant

VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123  van PMEG6010ER 1A

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
20pcs