Van de Diodeelectrnocs van IPD60R380C6 Recitifier van de de Componententransistor de Elektronika van de Spaanderic
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Van de Diodeelectrnocs van IPD60R380C6 Recitifier van de de Componententransistor de Elektronika van de Spaanderic
MOSFET het Gebiedseffect van de Metaaloxidehalfgeleider Transistor
EIGENSCHAPPEN
• Uiterst - lage verliezen toe te schrijven aan zeer lage FOM Rdson*Qg en Eoss
• Zeer hoge commutatieruwheid • Makkelijk te gebruiken/aandrijving
• JEDEC1) gekwalificeerd, Pb-Vrij plateren, Halogeen free2)
Beschrijvingen
afvoerkanaalspeld 2 poortspeld 1 bronspeld 3 de Machtstransistor IPD60R380C6, IPI60R380C6 IPB60R380C6, Blad 2 Toer 2,0, 2009-08-27 van 600V CoolMOS™ C6 van IPP60R380C6 IPA60R380C6 FinalData
1 de beschrijving CoolMOS™ is een revolutionaire die technologie voor MOSFETs van de hoogspanningsmacht, volgens het superjunction (SJ) wordt ontworpen principe en door Technologieën de weg die wordt bereid die.
De CoolMOS™c6 reeks combineert de ervaring van de belangrijke SJ-MOSFET leverancier met eersteklas innovatie. De resulterende apparaten leveren alle voordelen van snelle omschakelingssj MOSFET terwijl op het offeren van geen handigheid.
Uiterst - de lage omschakeling en geleidingsverliezen maken omschakelingstoepassingen, en koeler efficiënter, compacter, lichter.
Toepassingen
PFC-stadia, harde omschakelingspwm stadia en resonerende omschakelingspwm stadia voor b.v. TV van PC Silverbox, van de Adapter, LCD & PDP-, Verlichting, Server, Telecommunicatie, UPS en Zonne.
ABSOLUTE MAXIMUMclassificaties (1)
VDS @ Tj, maximum 650 V RDS (), maximum 0,38 Qg, typt 32 nCidentiteitskaart, impuls 30 A Eoss @ 400V 2,8 µJ Lichaamsdiode di/dt 500 A/µs |
TRANS BC847BLT1 | 18000 | OP | CHINA |
RC0805JR-0710KL | 35000 | YAGEO | CHINA |
RC0805JR-071KL | 20000 | YAGEO | CHINA |
DIODO DF06S | 3000 | Sep | CHINA |
GLB 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | JAPAN |
DIODO US1A-13-F | 50000 | DIODEN | MALEISIË |
INDUTOR. 100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | JAPAN |
Onderzoek 470R 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINA |
Onderzoek 1206 2M 1% RC1206FR-072ML | 500000 | YAGEO | CHINA |
DIODO P6KE180A | 10000 | VISHAY | MALEISIË |
Onderzoek 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINA |
DIODO UF4007 MUNITIE | 500000 | MIC | CHINA |
TRANS. ZXMN10A09KTC | 20000 | ZETEX | TAIWAN |
Onderzoek 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
500000 | YAGEO | CHINA |
ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 | 10000 | LITE-ON | TAIWAN |
TRANS MMBT2907A-7-F | 30000 | DIODEN | MALEISIË |
TRANS STGW20NC60VD | 1000 | ST | MALEISIË |
C.I LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | Ti | THAILAND |
C.I MC33298DW | 1000 | MOT | MALEISIË |
C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | MALEISIË |
C.I P8255A5 | 4500 | INTEL | JAPAN |
C.I HM6116P-2 | 5000 | HITACHI | JAPAN |
C.I DS1230Y- 150 | 2400 | DALLAS | FILIPPIJNEN |
TRANS. ZXMN10A09KTC | 18000 | ZETEX | TAIWAN |
TRIAC BT151-500R | 500000 | MAROKKO | |
C.I HCNR200-000E | 1000 | AVAGO | TAIWAN |
TRIAC TIC116M | 10000 | Ti | THAILAND |
DIODO US1M-E3/61T | 18000 | VISHAY | MALEISIË |
DIODO ES1D-E3-61T | 18000 | VISHAY | MALEISIË |
C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | TAIWAN |
C.I CD40106BE | 250 | Ti | THAILAND |
ACOPLADOR PC733H | 1000 | SCHERP | JAPAN |
TRANS NDT452AP | 5200 | FSC | MALEISIË |
CI LP2951-50DR | 1200 | Ti | THAILAND |
CI MC7809CD2TR4G | 1200 | OP | MALEISIË |
DIODO MBR20200CTG | 22000 | OP | MALEISIË |
FUSIVEL 30R300UU | 10000 | LITTELFUSEI | TAIWAN |
C.I TPIC6595N | 10000 | Ti | THAILAND |
EPM7064STC44-10N | 100 | ALTERA | MALEISIË |
DIODO 1N4004-T | 5000000 | MIC | CHINA |
C.I CD4060BM | 500 | Ti | THAILAND |
ACOPLADOR MOC3020M | 500 | FSC | MALEISIË |
DIODO W08 | 500 | Sep | CHINA |
C.I SN74HC373N | 1000 | Ti | FILIPPIJNEN |
PHOTOSENSOR 2SS52M | 500 | honeywell | JAPAN |
C.I SN74HC02N | 1000 | Ti | THAILAND |
C.I CD4585BE | 250 | Ti | THAILAND |
C.I MT46H32M16LFBF-6IT: C | 40 | MICRON | MALEISIË |
DIODO MMSZ5242BT1G | 30000 | OP | MALEISIË |

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
