Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders > SS26T3G de Geïntegreerde schakeling Chip Program Memory van de gelijkrichterdiode

SS26T3G de Geïntegreerde schakeling Chip Program Memory van de gelijkrichterdiode

fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
Diode 60 de Oppervlakte van V 2A zet SMB op
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiation
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
Temperatuurwaaier:
– 55°C aan +150°C
betalingstermijn:
T/T, Paypal, Western Union
Voltage:
7 V
Huidig:
5A
Pakket:
SMB
Fabriekspakket:
Spoel
Hoogtepunt:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Inleiding

De oppervlakte zet Schottky-Machtsgelijkrichter op

SCHOTTKY-BARRIÈREgelijkrichter 2,0 AMPÈRES 60 VOLTS

Eigenschappen

• Compact Pakket met J−Bend-Loodideaal voor Geautomatiseerde Behandeling

• Hoogst Stabiele Oxyde Gepassiveerde Verbinding

• Guardring voor Overvoltagebescherming

• Lage Voorwaartse Voltagedaling

• Het Pb−Freepakket is Beschikbare Mechanische Kenmerken:

• Geval: Gevormde Epoxy

• Epoxy ontmoet UL 94, V−O binnen bij 0,125

• Gewicht: 95 mg (ongeveer)

• De Band van de kathodepolariteit

• Lood en Opzettende Oppervlaktetemperatuur voor het Solderen Doeleinden: 260°C max. 10 Seconden

• Beschikbaar in 12 mm voegt de Band, 2500 Eenheden per Spoel 13 ″, Achtervoegsel ìT3î aan Artikelnummer toe

• Eindig: Alle Buitenoppervlakken Corrosiebestendige en Eindlood zijn gemakkelijk Solderable

• ESD Classificaties: Menselijk Lichaamsmodel = 3B-Machinemodel = C

• Het merken: SS26

ABSOLUTE MAXIMUMclassificaties (1)
Piek Herhaald Omgekeerd Voltage die Piek Omgekeerd Voltage gelijkstroom het Blokkeren Voltage VRRM VRWM VR 60 V werken
Het gemiddelde rectificeerde vooruit Huidige (bij Geschatte VR, TL = 95°C) IO 2,0 A
Stroom van de Non−Repetitive de PiekdieSchommeling (Schommeling bij Geschatte Halfwave van Ladingsvoorwaarden, Enige Fase, 60 Herz wordt toegepast) IFSM 40 A
Opslag/Werkende Gevaltemperatuur Tstg, TC −55 aan +150 °C
Werkende Verbindingstemperatuur TJ −55 aan +150 °C
Voltagetarief van Verandering (Geschatte VR, TJ = 25°C) dv/dt 10.000 V? s


EEN DEEL VAN VOORRAAD

TRANS. FDS9435A 1500 FSC 15+ Soppenen-8
DIODO MMBD4148,215 300000 15+ Sot23-3
C.I L7805CD2T-RT 2500 ST 14+ D2PAK
FDS6990A 1500 FSC 15+ Soppenen-8
NDS9952A 1500 FSC 15+ Soppenen-8
SN65HVD485EDR 1500 Ti 16+ Soppenen-8
SMBJ8.5CA 7500 VISHAY 16+ SMB
PIC24FJ16GA004-I/PT 1500 MICROCHIP 13+ Tqfp-44
C.I TLC072CDGNR 5000 Ti 05+ Msop-8
C.I SN74LS374N 2000 Ti 15+ Onderdompeling-20
TRANS. BC817-16LT1G 300000 OP 12+ Dronkaard-23
C.I TL074CN 1000 Ti 12+ Onderdompeling-14
OPTOACOPLADOR MOC3063SM 20000 FSC 14+ Soppenen-6
TRIAC BT151-500R 300000 16+ Aan-220
C.I MM74HC164MX 25000 FSC 05+ Soppenen-14
C.I WS79L05 100000 WS 16+ Aan-92
ONDERZOEK RL1206FR-070R75L 100000 YAGEO 16+ SMD1206
ONDERZOEK RC1206FR-071R5L 500000 YAGEO 16+ SMD1206
ONDERZOEK RC1206FR-071R2L 500000 YAGEO 16+ SMD1206
ONDERZOEK RL1206FR-070R68L 1000000 YAGEO 16+ SMD1206
ONDERZOEK RC0402FR-0722KL 3000000 YAGEO 16+ SMD0402
ONDERZOEK RC0402FR-0756RL 2000000 YAGEO 16+ SMD0402
ONDERZOEK RC0402FR-0724RL 2000000 YAGEO 16+ SMD0402
ONDERZOEK RC1206JR-072ML 500000 YAGEO 16+ SMD1206
GLB 1206 22PF 1KV NP0 CL31C220JIFNFNE 600000 SAMSUNG 16+ SMD1206


VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123  van PMEG6010ER 1A

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
10pcs