Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders > BZG05C6V2TR van het de Diodensilicium van Zener van de gelijkrichterdiode Dioden van Zener de Vlak

BZG05C6V2TR van het de Diodensilicium van Zener van de gelijkrichterdiode Dioden van Zener de Vlak

fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
Zenerdiode 6,2 de Oppervlakte van V 1,25 W ±6% zet -214AC (SMA) op
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiate
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
De niet herhaalde piekdissipatie van de schommelingsmacht:
60 W
Verbinding om te leiden:
30 K/W
VERBINDINGStemperatuur:
150°C
Opslagtemperatuur:
- 65 aan + 150 °C
Voorwaarts voltage (max.):
1.2 V
Pakket:
-214AC
Hoogtepunt:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

Inleiding

BZG05C-reeksen

Zenerdioden

EIGENSCHAPPEN

• Hoge betrouwbaarheid

• Voltagewaaier 3,3 V aan 100 V

• Pasvormen op de stootkussens van 5 mm SMD

• Solderable golf en terugvloeiing

• Aec-101 gekwalificeerd

• Volgzaam aan RoHS-Richtlijn 2002/95/EG en in overeenstemming met WEEE 2002/96/EG

TOEPASSINGEN

• Voltagestabilisatie

PRIMAIRE KENMERKEN

PARAMETER VALUE EENHEID
VZ waaier nom. 3,3 tot 100 V
Test huidige IZT 2,7 tot 80 mA
VZ specificatie Impulsstroom
Int. bouw Kies uit

ABSOLUTE MAXIMUMclassificaties (Tamb = 25 °C, tenzij anders gespecificeerd)

PARAMETER BEPROEVINGSOMSTANDIGHEID SYMBOOL VALUE EENHEID
Machtsdissipatie RthJA< 30="" K=""> Ptot 3000 mw
RthJA< 100="" K=""> Ptot 1250 mw
De niet herhaalde piekdissipatie van de schommelingsmacht tp = 100 μs sq.pulse, Tj = 25 °C voorafgaand aan schommeling PZSM 60 W
Verbinding om te leiden RthJL 30 K/W
Verbinding aan omringende lucht Opgezet op epoxy-glas hard weefsel, fig. 1a RthJA 150 K/W
Opgezet op epoxy-glas hard weefsel, fig. 1B RthJA 125 K/W
Opgezet op al-oxid-Ceramisch (Al2O3), fig.1B RthJA 100 K/W
Verbindingstemperatuur Tj 150 °C
De waaier van de opslagtemperatuur Tstg - 65 aan + 150 °C
Voorwaarts voltage (max.) ALS = 0,2 A VF 1.2 V

PAKKETdimensies in millimeter (duim): -214AC

Hete voorraadaanbieding (verkoop)

Artikelnummer. Hoeveelheid Merk D/C Pakket
TLP759 24480 TOSHIBA 16+ Soppenen-8
TLP785GB 71000 TOSHIBA 16+ Onderdompeling-4
TLV2217-33KCSE3 14631 Ti 11+ Aan-220
TLV2373IDGSR 4914 Ti 06+ Msop-10
TLV2401CDBVR 8191 Ti 15+ Sot23-5
TLV2464IPWR 3517 Ti 11+ Tssop-14
TLV2472AIDR 6435 Ti 14+ Soppenen-8
TLV2771CDBVR 16946 Ti 16+ Sot23-5
TLV2774IDR 6156 Ti 10+ Soppenen-14
TLV5606CDGKR 6012 Ti 06+ Vssop-8
TLV5610IPWR 2618 Ti 14+ Tssop-20
TLV5610IPWR 2532 Ti 11+ Tssop-20
TLV62130RGTR 5398 Ti 16+ QFN16
TLV70033DDCR 43000 Ti 14+ Sot23-5
TLV70433DBVR 91000 Ti 13+ Sot23-5
TM4C123FH6PMI 1543 Ti 13+ Lqfp-64
TM4C129ENCPDTI3R 2790 Ti 13+ QFP128
TMD0507-2A 229 TOSHIBA 15+ SMD
TMP102AIDRLR 4371 Ti 16+ Dronkaard-563
Tmp82c79p-2 3478 TOSHIBA 98+ Onderdompeling-40
TMPM374FWUG 3299 TOSHIBA 11+ Lqfp-44
TMS27PC256-15NL 2483 Ti 94+ Onderdompeling-24
TMS320F2810PBKA 1741 Ti 16+ QFP
TMS320F2810PBKQ 1417 Ti 12+ QFP128
TMS320F28335PGFA 1687 Ti 16+ Lqfp-176
TMS3705A1DR 3402 Ti 15+ Soppenen-16
TMS3705ADR 2854 Ti 15+ Soppenen-16
Tn1215-600b-RT 3868 ST 14+ Aan-252
TN6Q04 17017 SANYO 14+ Aan-220-5
TN80C188EB20 418 INTEL 05+ PLCC84

VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123  van PMEG6010ER 1A

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
20pcs