Bericht versturen
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Huis
producten
fabrikanten
Ongeveer ons
middelen
Verzend RFQ
downloaden
Huis > producten > elektronische ic spaanders > Van de Machtsgelijkrichters van MBR20100CTG Switchmode de Barrièregelijkrichters van Schottky

Van de Machtsgelijkrichters van MBR20100CTG Switchmode de Barrièregelijkrichters van Schottky

Van de Machtsgelijkrichters van MBR20100CTG Switchmode de Barrièregelijkrichters van Schottky
Van de Machtsgelijkrichters van MBR20100CTG Switchmode de Barrièregelijkrichters van Schottky
fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 100 V 10A door Gat aan-220-3
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiate
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
Piek Herhaald Omgekeerd Voltage:
100 V
Het werk Piek Omgekeerd Voltage:
100 V
Gelijkstroom-het Blokkeren Voltage:
100 V
Het gemiddelde rectificeerde vooruit stroom:
10 A
Piek Herhaalde Voorwaartse Stroom:
20 A
Voltagetarief van verandering:
10.000 V/s
Hoogtepunt:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

Inleiding

MBR2080CT, MBR2090CT, MBR20100CT

SWITCHMODE™ machtsgelijkrichters

SCHOTTKY-BARRIÈREgelijkrichters

20 AMPÈRES

80−100 VOLTS

Deze reeks gebruikt het Schottky-Barrièreprincipe met een metaal van de platinabarrière. Deze state−of−the−artapparaten hebben de volgende eigenschappen:

Eigenschappen

• 20 een Totaal (10 A per Diodebeen)

• Guard−Ring voor Spanningsbescherming

• Laag Voorwaarts Voltage

• 175°C werkende Verbindingstemperatuur

• Epoxy ontmoet binnen UL 94 V−0 @ 0,125

• Laag Machtsverlies/Hoog rendement

• Hoge Schommelingscapaciteit

• Lage Opgeslagen de Dragergeleiding van de Lastenmeerderheid

• Verscheept 50 eenheden per plastic buis

• De Pb−Freepakketten zijn Available*

Mechanische Kenmerken:

• Geval: Epoxy, Gevormd

• Gewicht: 1,9 gram (ongeveer)

• Eindig: Alle Buitenoppervlakken Corrosiebestendige en Eindlood zijn gemakkelijk Solderable

• Loodtemperatuur voor het Solderen Doeleinden: 260°C max. 10 Seconden

MAXIMUMclassificaties (per Diodebeen)

Classificatie Symbool MBR Eenheid
2080CT 2090CT 20100CT

Piek Herhaald Omgekeerd Voltage

Het werk Piek Omgekeerd Voltage

Gelijkstroom-het Blokkeren Voltage

VRRM

VRWM

VR

 80 90 100 V

Het gemiddelde rectificeerde vooruit Stroom

(Geschatte VR) TC = 133°C

 ALS (AV) 10 A

Piek Herhaalde Voorwaartse Stroom

(Geschatte VR, Vierkante Golf, kHz 20) TC = 133°C

 IFRM 20 A

Nonrepetitive PiekdieSchommelingsstroom (Schommeling bij geschatte halfwave van ladingsvoorwaarden, enige fase, 60 Herz wordt toegepast)

 IFSM 150 A
Piek Herhaalde Omgekeerde Schommelingsstroom (2,0 s, kHz 1,0) IRRM 0,5 A
Werkende Verbindingstemperatuur (Nota 1) TJ -65 tot +175 °C
Opslagtemperatuur Tstg -65 tot +175 °C
Voltagetarief van Verandering (Geschatte VR) dv/dt 10000 V/μs

1. De geproduceerde hitte moet zijn minder dan het warmtegeleidingsvermogen van Junction−to−Ambient: dPD/dTJ < 1="">

Hete voorraadaanbieding (verkoop)

Artikelnummer. Hoeveelheid Merk D/C Pakket
SI4435DYTRPBF 16836 IRL 15+ Soppenen-8
LD7575PS 13250 LD 16+ Soppenen-8
TC1413NE 2372 MICROCHIP 14+ Soppenen-8
TC4427COA 30336 MICROCHIP 15+ Soppenen-8
TC7660COA 16484 MICROCHIP 16+ Soppenen-8
TC7660EOA 16462 MICROCHIP 13+ Soppenen-8
TCN75AVOA 13470 MICROCHIP 16+ Soppenen-8
TCN75AVOA713 13228 MICROCHIP 16+ Soppenen-8
UPA1728G-E1 11776 NEC 14+ Soppenen-8
UPC1678G 32040 NEC 14+ Soppenen-8
UPC842G2-E2 12356 NEC 16+ Soppenen-8
TDA1308T/N2 7464 13+ Soppenen-8
TDA1311AT/N2 17068 10+ Soppenen-8
TDA7052AT/N2 16944 11+ Soppenen-8
TDA8541T/N1 15924 16+ Soppenen-8
TDA8551T/N1 4416 16+ Soppenen-8
TEA1795T 28692 14+ Soppenen-8
UC3843BD1013TR 12182 OP 13+ Soppenen-8
UC3845BVD1R2G 16440 OP 10+ Soppenen-8
PT7A7514WEX 13162 PERICOM 16+ Soppenen-8
TEA1104T 7188 PHI 16+ Soppenen-8
LNK304DG 14864 MACHT 15+ Soppenen-8
TNY280GN 23484 MACHT 14+ Soppenen-8
Top222gn-TL 13817 MACHT 16+ Soppenen-8
Top258gn-TL 4572 MACHT 16+ Soppenen-8
TOP414GN 2309 MACHT 14+ Soppenen-8
PT4207ESOH 14834 POWTECH 11+ Soppenen-8
Ps2501l-2-f3-a 14812 RENESAS 16+ Soppenen-8
RT8284NGS 8256 RICHTEK 16+ Soppenen-8
RT9018A-25PSP 11512 RICHTEK 13+ Soppenen-8

VERWANTE PRODUCTEN
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Beeld deel # Beschrijving
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
10pcs
Neem contact met ons op
Adres: Kamer 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
E-mailen: sales@cmhk-ic.com
Telefoon: 86-755-88367702
producten

De Spaander van flashgeheugenic

Programmeerbare IC-Spaander

De Spaanders van computeric

HOOFDbestuurder ICs

Energiebeheer ICs

Chips met geïntegreerde schakelingen

MCU Microcontroller-eenheid

Vertoningsbestuurder ICs

IGBT-voedingsmodule

De Spaanders van versterkeric
Ongeveer ons
Ongeveer ons ISO-Certificaat Kwaliteitscontrole Privacybeleid Hulpcentrum
Privacybeleid | De Goede Kwaliteit van China De Spaander van flashgeheugenic Leverancier. Copyright © 2023-2024 icmemorychip.com . Alle rechten voorbehoudena.