Mosfet van de algemeen Doelmacht Transistorksp2907 ATA Equivalent PNP Versterker
fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
De bipolaire Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz (van BJT) 625 mw door Gat aan-92-3
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiate
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
Features2:
• De Dissipatie van de collectormacht: PC (maximum) =625mW
Eigenschappen:
• Collector-zender Voltage: VCEO= 60V
Features3:
• Achtervoegsel „- C“ betekent een Centrumcollector (3.Base van 1.Emitter 2.Collector)
Features4:
• Achtervoegsel niet „- C“ betekent een Zijcollector (1.Emitter-2.Base 3.Collector)
Features5:
• Beschikbaar als PN2907A
Hoogtepunt:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Inleiding
Mosfet van de algemeen Doelmacht Transistorksp2907a Gelijkwaardige PNP Versterker
Eigenschappen
• Collector-zender Voltage: VCEO= 60V
• De Dissipatie van de collectormacht: PC (maximum) =625mW
• Achtervoegsel „- C“ betekent een Centrumcollector (3.Base van 1.Emitter 2.Collector)
• Achtervoegsel niet „- C“ betekent een Zijcollector (1.Emitter-2.Base 3.Collector)
• Beschikbaar als PN2907A
Absolute Maximumclassificaties * Ta = 25°C tenzij anders vermeld
| Symbool | Parameter | Waarde | Eenheden |
| VCBO | Collector-Base Voltage | -60 | V |
| VCEO | Collector-zender Voltage | -60 | V |
| VEBO | Emitter-Base Voltage | -5 | V |
| IC | Collectorstroom | -600 | mA |
| TJ | Verbindingstemperatuur | +150 | °C |
VERWANTE PRODUCTEN
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
20