Mosfet van de signaalmacht de Verhogingswijze BSP315 SIPMOS van het Transistorp Kanaal
power mosfet ic
,silicon power transistors
Mosfet van de signaalmacht de Verhogingswijze BSP315 SIPMOS van het Transistorp Kanaal
• P kanaal
• Verhogingswijze
• Logicaniveau
• VGS (Th) = -0,8… - 2,0 V
Afvoerkanaal-bronanalysevoltage V (BR) DSS = ƒ (Tj)
Voorbijgaande thermische impedantie Zth JA = (tp) parameter ƒ: D = tp/T
Maximumclassificaties
| Parameter | Symbool | Waarden | Eenheid |
| Afvoerkanaal bronvoltage | VDS | -50 | V |
|
Afvoerkanaal-poort voltage RGS = 20 kΩ |
VDGR | -50 | |
| Poort bronvoltage | VGS | ± 20 | |
|
Ononderbroken afvoerkanaalstroom Ta = 39 °C |
Identiteitskaart | -1.1 | A |
|
Gelijkstroom-afvoerkanaalstroom, gepulseerd Ta = 25 °C |
IDpuls | -4.4 | |
|
Machtsdissipatie Ta = 25 °C |
Ptot | 1.8 | W |

