Mosfet van de signaalmacht de Verhogingswijze BSP315 SIPMOS van het Transistorp Kanaal
power mosfet ic
,silicon power transistors
Mosfet van de signaalmacht de Verhogingswijze BSP315 SIPMOS van het Transistorp Kanaal
• P kanaal
• Verhogingswijze
• Logicaniveau
• VGS (Th) = -0,8… - 2,0 V
Afvoerkanaal-bronanalysevoltage V (BR) DSS = ƒ (Tj)
Voorbijgaande thermische impedantie Zth JA = (tp) parameter ƒ: D = tp/T
Maximumclassificaties
Parameter | Symbool | Waarden | Eenheid |
Afvoerkanaal bronvoltage | VDS | -50 | V |
Afvoerkanaal-poort voltage RGS = 20 kΩ |
VDGR | -50 | |
Poort bronvoltage | VGS | ± 20 | |
Ononderbroken afvoerkanaalstroom Ta = 39 °C |
Identiteitskaart | -1.1 | A |
Gelijkstroom-afvoerkanaalstroom, gepulseerd Ta = 25 °C |
IDpuls | -4.4 | |
Machtsdissipatie Ta = 25 °C |
Ptot | 1.8 | W |

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
