TLP734 machtsmosfet Transistor Nieuwe & Originele GaAs Ired & Fototransistor
power mosfet ic
,silicon power transistors
GaAs Ired&Photo−Transistor van TOSHIBA Photocoupler
TLP733, TLP734
Bureaumachine
Het Materiaal van het huishoudengebruik
Relais in vaste toestand
Omschakelingsvoeding
TOSHIBA TLP733 en TLP734 bestaat uit een photo−transistor aan een galliumarsenide infrarode uitzendende diode in een zes lood plastic ONDERDOMPELING die optisch wordt gekoppeld.
TLP734 is no−base interne verbinding voor high−EMImilieu's.
- Collector−emittervoltage: 55 (min.) V?
- Huidige overdrachtverhouding: (min.) 50%
- Weelderig GB: (min.) 100%?
- UL erkend: UL1577, dien nr in. E67349?
- BSI keurde goed: BS EN60065: 1994
- Certificaat nr 7364
- BS EN60950: 1992
- Certificaat nr 7365?
- SEMKO keurde goed: SS4330784
- Certificaat nr 9325163, 9522142?
- Isolatievoltage: 4000 (min.) Vrms?
- Optie (D4) type
- VDE keurde goed: DIN VDE0884/06,92,
- Certificaat nr 74286, 91808
- Maximum werkend isolatievoltage: 630, 890 VPK
- Hoogste toelaatbaar over voltage: 6000, 8000 VPK
- VDE keurde goed: DIN VDE0884/06,92,
(Nota) wanneer een VDE0884 goedgekeurd type wordt vereist, te wijzen gelieve de „Optie (D4) aan“
7,62 mm-hoogte 10,16 mm-hoogte
standaard TLP×××F type?
Creepage afstand : 7,0 (min.) mm 8,0 (min.) mm
Ontruiming : 7,0 (min.) mm 8,0 (min.) mm
Interne creepage weg : 4,0 (min.) mm 4,0 (min.) mm
Isolatiedikte : 0,5 (min.) mm 0,5 (min.) mm
Maximumclassificaties (Ta = 25°C)
Kenmerk | Symbool | Classificatie | Eenheid | |
Leiden | Voorwaartse stroom | ALS | 60 | mA |
Het voorwaartse huidige derating (Ta ≥ 39°C) | ∆IF/°C | ? -0.7 | mA/°C | |
Piek voorwaartse stroom (100 µs impuls, 100 pps) | IFP | 1 | A | |
Omgekeerd voltage | VR | 5 | V | |
Verbindingstemperatuur | Tj | 125 | °C | |
Detector | Collector? zendervoltage | VCEO | 55 | V |
Collector? basisvoltage (TLP733) | VCBO | 80 | V | |
Zender? collectorvoltage | VECO | 7 | V | |
Zender? basisvoltage (TLP733) | VEBO | 7 | V | |
Collectorstroom | IC | 50 | mA | |
Machtsdissipatie | PC | 150 | mw | |
Machtsdissipatie het derating (Ta ≥ 25°C) | ∆PC/°C | -1.5 | mw/°C | |
Verbindingstemperatuur | Tj | 125 | °C | |
De waaier van de opslagtemperatuur | Tstg | -? 55~125 | °C | |
Werkende temperatuurwaaier | Topr | ? -40~100 | °C | |
Lood het solderen temperatuur (10 s) | Tsol | 260 | °C | |
De totale dissipatie van de pakketmacht | PT | 250 | mw | |
Het totale de dissipatie van de pakketmacht derating (Ta ≥ 25°C) | ∆PT/°C | -2.5 | mw/°C | |
Isolatievoltage (AC, 1 min., R.H.≤ 60%) | BVS | 4000 | Vrms |
Gewicht: 0,42 g
Pin Configurations (hoogste mening)
TLP733
1: Anode 2: Kathode 3: Nc 4: Zender 5: Collector 6: Basis
TLP734
1: Anode 2: Kathode 3: Nc 4: Zender 5: Collector 6: Nc