Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders > PMBT2222AYS115 machtsmosfet Transistor, mosfet van de de omschakelingsmacht van PHILIPS NPN

PMBT2222AYS115 machtsmosfet Transistor, mosfet van de de omschakelingsmacht van PHILIPS NPN

fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
Bipolaire (BJT) transistorarray
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiate
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
LP:
Low-Power Kristal
XT:
Kristal/Resonator
HS:
Hoge snelheidskristal/Resonator
HSPLL:
Hoge snelheidskristal/Resonator met Toegelaten PLL
RC:
Externe Weerstand/Condensator met FOSC/4-Output op RA6
Hoogtepunt:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Inleiding

NPN-omschakelingstransistors


EIGENSCHAPPEN

• Hoog stroom (max. 600 mA)

• Laag voltage (max. 40 V).

TOEPASSINGEN

• Het schakelen en lineaire versterking.

BESCHRIJVING

NPN-omschakelingstransistor in een plastic pakket van SOT23. PNP vult aan: PMBT2907 en PMBT2907A.

Het MERKEN

TYPEaantal HET MERKEN VAN CODE (1)
PMBT2222 *1B
PMBT2222A *1P

ONTKENNINGEN

Algemeen

⎯ De informatie in dit document wordt verondersteld nauwkeurig en betrouwbaar om te zijn. Nochtans, -geeft de Halfgeleiders geen die vertegenwoordiging of garanties, of, in verband met de nauwkeurigheid of de volledigheid van dergelijke informatie wordt uitgedrukt en zullen hebben geen aansprakelijkheid voor de gevolgen van gebruik van dergelijke informatie uitgedrukt.

Recht veranderingen aan te brengen

De Halfgeleiders van ⎯ be*houdt zich het recht voor die veranderingen in informatie aan te brengen in dit document wordt gepubliceerd, die zonder beperkingsspecificaties en productomschrijvingen omvatten, op elk ogenblik en zonder voorafgaande kennisgeving. Dit document vervaCM GROUP en vervaCM GROUP al die inlichtingen voorafgaand aan de hereof publicatie worden verstrekt.

Geschiktheid voor gebruik

De de Halfgeleidersproducten worden van ⎯ niet ontworpen, of om voor gebruik in medisch, militair, vliegtuigen, ruimte of het levenssteunmateriaal, noch in toepassingen geschikt gemachtigd gerechtvaardigd te zijn waar de mislukking of het defect van een -Halfgeleidersproduct redelijk kan worden verwacht om in lichamelijk letsel, dood of strenge bezit of milieuschade te resulteren. -de Halfgeleiders aanvaardt geen aansprakelijkheid voor opneming en/of gebruik van -Halfgeleidersproducten in dergelijke materiaal of toepassingen en daarom zijn dergelijk opneming en/of gebruik op het eigen risico van de klant.

VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123  van PMEG6010ER 1A

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
20