Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders > MRF9030GNR1 machtsmosfet Mosfet van de modulemacht het GEBIEDSeffect van de Transistorrf MACHT TRANSISTORS

MRF9030GNR1 machtsmosfet Mosfet van de modulemacht het GEBIEDSeffect van de Transistorrf MACHT TRANSISTORS

fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
Rf-Mosfet aan-270-2 MEEUW
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiate
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
Afvoerkanaal-bronvoltage:
68 Vdc
Poort-bronvoltage:
– 0,5, +15 Vdc
De waaier van de opslagtemperatuur:
– 65 tot +200 °C
Werkende verbindingstemperatuur:
200°C
Inputcapacitieve weerstand:
49.5 pF
Outputcapacitieve weerstand:
26.5 pF
Hoogtepunt:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Inleiding

De rf-Submicronmosfet Lijn

RF-HET EFFECT VAN HET MACHTSgebied TRANSISTORS

N-Channel verhoging-Wijze Zijmosfets

945 Mhz, 30 W, 26 N-CHANNEL BREEDBANDrf van V ZIJmachtsmosfets

Ontworpen voor breedband commerciële en industriële toepassingen met frequenties tot 1,0 GHz. De hoge aanwinst en de breedbandprestaties van deze apparaten maken tot hen ideaal voor groot-signaal, gemeenschappelijk-bronversterkertoepassingen in het materiaal van het 26 voltbasisstation.

• Typische Twee Tone Performance bij 945 Mhz, 26 Volts

Outputmacht — 30 Wattsfut

Machtsaanwinst — 19 dB

Efficiency — 41.5%

IMD — – dBc 32,5

• Geïntegreerde ESD Bescherming

• Ontworpen voor Maximumaanwinst en Toevoegingsfasevlakheid

• Geschikt voor Behandelings10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 945 Mhz, 30 Wattscw Outputmacht

• Uitstekende Thermische Stabiliteit

• Gekenmerkt met de Impedantieparameters van het Reeks Gelijkwaardige groot-Signaal

• In Band en Spoel. R1 Achtervoegsel = 500 Eenheden per 32 mm, 13 duimspoel.

MAXIMUMclassificaties

Classificatie Symbool Waarde Eenheid
Afvoerkanaal-bronvoltage VDSS 68 Vdc
Poort-bronvoltage VGS – 0,5, +15 Vdc

Totale Apparatendissipatie @ TC = 25°C MRF9030R1

Derate boven 25°C

PD

92

0,53

Watts

W/°C

Totale Apparatendissipatie @ TC = 25°C MRF9030SR1

Derate boven 25°C

PD

117

0,67

Watts

W/°C

De Waaier van de opslagtemperatuur Tstg – 65 tot +200 °C
Werkende Verbindingstemperatuur TJ 200 °C

PAKKETdimensies

Hete voorraadaanbieding (verkoop)

Artikelnummer. Q'ty MFG D/C Pakket
BFU710F 15000 15+ Dronkaard-343
PIC16F526-I/SL 5193 MICROCHIP 16+ SOP
LM810M3X-4.63 10000 NSC 15+ Dronkaard-23-3
M95020-WMN6TP 10000 ST 16+ SOP
M93S46-WMN6 4686 ST 10+ SOP
MCT61 10000 FSC 16+ Onderdompeling-8
MAX809LEUR+T 10000 STELREGEL 16+ DRONKAARD
52271-2079 3653 MOLEX 15+ schakelaar
ZVP3306FTA 9000 ZETEX 15+ SOT23
MBR10100G 15361 OP 16+ Aan-220
NTR2101PT1G 38000 OP 16+ Dronkaard-23
MBRD640CTT4G 17191 OP 16+ Aan-252
NTR4501NT1G 38000 OP 15+ Dronkaard-23
LM8272MMX 1743 NSC 15+ Msop-8
NDT014 10000 FAIRCHILD 14+ Dronkaard-223
LM5007MM 1545 NSC 14+ Msop-8
NRF24L01+ 3840 NOORDS 10+ QFN
Mi1210k600r-10 30000 BEHEERDER 16+ SMD
A3144E 25000 ALLEGRO 13+ Aan-92
MP3V5004DP 5784 FREESCALE 13+ SOP

VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123  van PMEG6010ER 1A

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
10pcs