N - Kanaal 600 V 2,0? Mosfet van de ohmrf hoge Macht Transistor NDD04N60ZT4G
power mosfet ic
,multi emitter transistor
N - Kanaal 600 V 2,0? Mosfet van de ohmrf hoge Macht Transistor NDD04N60ZT4G
Eigenschappen
• Laag BIJ de Weerstand
• Lage Poortlast
• ESD Diode−Protected Poort
• 100% Geteste lawine
• Deze Apparaten zijn Pb−Free, Vrij Halogeen Free/BFR en zijn Volgzame RoHS
NOTA'S:
1. HET AFMETEN EN TOLERANCING PER ASME Y14.5M, 1994. 2. CONTROLERENDE AFMETING: DUIM.
3. THERMISCHE PAD-CONTOUR FACULTATIEF BINNEN AFMETINGEN B3, L3 EN Z.
4. DE AFMETINGEN D EN E OMVATTEN VORMflits, UITSTEEKSELS, OF GEEN BRAMEN. DE VORMflits, DE UITSTEEKSELS, OF DE POORTbramen zullen 0,006 DUIM PER KANT NIET OVERSCHRIJDEN.
5. DE AFMETINGEN D EN E WORDEN BEPAALD BIJ DE BUITENSTE UITERSTEN VAN HET PLASTIC LICHAAM.
6. DATUMS A EN B WORDEN BEPAALD BIJ GEGEVENSvliegtuig H.
KOERSLIJST
OP07CSZ | 10000 | ADVERTENTIE | 16+ | SOP |
Z84C0010VEG | 450 | ZILOG | 08+ | Plcc-44 |
LM7805AZ | 10000 | WST | 15+ | Aan-252 |
MJE18008G | 68000 | OP | 16+ | Aan-220 |
MAX3241EUI+T | 1850 | STELREGEL | 16+ | TSSOP |
MT48LC4M16A2B4-6AIT: J | 7282 | MICRON | 14+ | FBGA |
MBM29F800BA-70PFTN | 14812 | FUJITSU | 14+ | TSSOP |
MR4030 | 6267 | SHINDENGE | 14+ | To220-7 |
MS1649 | 6512 | doctorandus in de exacte wetenschappen | 16+ | Kunnen-3 |
LTM8032EV | 843 | LINEAIR | 14+ | LGA |
MAX9917EUB | 11518 | STELREGEL | 16+ | MSOP |
BTA208-800B | 10000 | 14+ | Aan-220 | |
6MBP75RA060 | 453 | FUJI | 15+ | MODULE |
XL6005E1 | 2000 | XLSEMI | 15+ | TO252-5L |
LM565H | 356 | NSC | 14+ | Kunnen-10 |
MG15N6ES42 | 616 | TOSHIBA | 15+ | MODULE |
BH3854AS | 450 | ROHM | 12+ | Onderdompeling-32 |
XC3S1500-5FGG456C | 200 | XILINX | 11+ | BGA |
NJM4558L | 30000 | GCO | 16+ | Slokje-8 |
LA1823 | 3994 | SANYO | 16+ | Onderdompeling-24 |
PCA82C250T | 11860 | 16+ | SOP | |
P1553ABL | 8700 | LITTELFUS | 16+ | Aan-220 |
PIC32MX795F512L-80I/PF | 1500 | MICROCHIP | 15+ | Tqfp-100 |
MC7805CDTRK | 10000 | OP | 16+ | DRONKAARD |
LM4755T | 975 | NSC | 14+ | Aan-263 |
M93C06-MN6T | 10000 | ST | 16+ | SOP |
NAND128W3A2BN6E | 5680 | ST | 16+ | TSOP |
PMEG3005EH | 25000 | 15+ | Zode-123 | |
LA4270 | 2641 | SANYO | 15+ | Pit-10 |
BTB24-600BWR | 3389 | ST | 14+ | Aan-220 |
PKG4428PI | 80 | ERICSSON | 02+ | SMD |
LTC4252-2IMS | 6402 | LINEAIR | 15+ | Msop-10 |
LA4445 | 6010 | SANYO | 15+ | Slokje-12 |
PN100 | 5000 | FSC | 16+ | Aan-92 |
MAT01GH | 2200 | ADVERTENTIE | 15+ | KAN |
MIW3023 | 404 | MINMAX | 16+ | ONDERDOMPELING |
Atxmega64a3-Au | 500 | ATMEL | 10+ | QFP64 |
Atxmega64a1-Au | 1000 | ATMEL | 12+ | TQFP100 |
Lm2841xmkx-ADJ | 3000 | Ti | 14+ | Tsot-23-6 |
LTC2250CUH | 1655 | LINEAIR | 14+ | QFN |

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
