MJD112T4G hoge machtsmosfet transistors, Bijkomende DarliCM GROUPon Power Transistors
power mosfet ic
,silicon power transistors
MJD112T4G hoge machtsmosfet transistors, Bijkomende DarliCM GROUPon Power Transistors
MJD112 (NPN)
MJD117 (PNP)
Bijkomende DarliCM GROUPon Power Transistors
DPAK voor Oppervlakte zet Toepassingen op
DE TRANSISTORS VAN DE SILICIUMmacht
2 AMPÈRES
100 VOLTS
20 WATTS
Ontworpen voor algemeen doelmacht en omschakeling zoals output of bestuurdersstadia in toepassingen zoals omschakelingsregelgevers, convertors, en machtsversterkers.
Eigenschappen
• De Pb−Freepakketten zijn Beschikbaar
• Het lood voor Oppervlakte wordt gevormd zet Toepassingen in Plastic Kokers (Geen Achtervoegsel dat) op
• Rechte Loodversie in Plastic Kokers (Achtervoegsel „−1“)
• Lood Gevormde Versie in de Band en de Spoel van 16 mm (het Achtervoegsel van „T4“ en van „RL“)
• Elektrisch Gelijkaardig aan de Populaire Reeks van TIP31 en TIP32-
MAXIMUMclassificaties
| Classificatie | Symbool | Maximum | Eenheid |
| Collector−Emittervoltage | VCEO | 100 | Vdc |
| Collector−Basevoltage | VCB | 100 | Vdc |
| Emitter−Basevoltage | VEB | 5 | Vdc |
|
Ononderbroken collector Huidige − Piek |
IC |
2 4 |
Adc |
| Basisstroom | IB | 50 | mAdc |
|
Totale Machtsdissipatie @ TC = 25°C Derate boven 25°C |
PD |
20 0,16 |
W W/°C |
|
Totale Macht Dissipation* @ Ta = 25°C Derate boven 25°C |
PD |
1.75 0,014 |
W W/°C |
| Het werken en Opslag de Waaier van de Verbindingstemperatuur | TJ, Tstg | −65 aan +150 | °C |
De maximumclassificaties zijn die waarden waarvoorbij de apparatenschade kan voorkomen. De maximumdieclassificaties op het apparaat worden toegepast zijn individuele spanningsgrenswaarden (niet normale exploitatievoorwaarden) en zijn gelijktijdig ongeldig. Als deze grenzen worden overschreden, is de apparaten functionele verrichting niet impliciet, kan de schade voorkomen en de betrouwbaarheid kan worden beïnvloed.
HET MERKEN VAN DIAGRAMMEN
PAKKETdimensies
DPAK
COMPUTER-AIDED SOFTWARE ENGINEERING 369C
KWESTIE O
DPAK−3
COMPUTER-AIDED SOFTWARE ENGINEERING 369D−01
KWESTIE B
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC