De Machtsmosfet van IRLR2905TRPBF aan-252 Transistor de Elektronika van Spaanderic Van geïntegreerde schakelingen
multi emitter transistor
,silicon power transistors
De Machtsmosfet van IRLR2905TRPBF aan-252 Transistor de Elektronika van Spaanderic Van geïntegreerde schakelingen
IRLR2905TRPBF
±15kV ESD, +3V aan +5.5V, 1Microamp, 250kbps, rs-232 Zenders/Ontvangers wordt beschermd die
Logica-vlakke Poortaandrijving?
Ultra Lage op-Weerstand?
De oppervlakte zet op (IRLR2905)?
Recht Lood (IRLU2905)?
Geavanceerde Procestechnologie
Snelle Omschakeling? Volledig Geschatte Lawine
Loodvrij
Beschrijving
De vijfde Generatie HEXFETs van Internationale Gelijkrichter gebruikt geavanceerde verwerkingstechnieken om de laagste mogelijke op-weerstand per siliciumgebied te bereiken. Dit die voordeel, met de snelle omschakelingssnelheid en het ruw gemaakte apparatenontwerp wordt gecombineerd dat HEXFET-Machtsmosfets goed - gekend zijn voor, voorziet de ontwerper van een uiterst efficiënt apparaat voor gebruik in een grote verscheidenheid van toepassingen. D-PAK wordt ontworpen voor oppervlakte die gebruikend dampfase, infrared, of golf het solderen technieken opzetten. De rechte loodversie (IRFU-reeks) is voor door-gaten opzettende toepassingen. De niveaus van de machtsdissipatie tot 1,5 watts in typische oppervlakte mogelijk zijn zetten toepassingen op.
???????????????
??????????????? ????????????? Absoluut Maxim Rating
TC = Ononderbroken het Afvoerkanaalstroom van 25°C, VGS @ 10V 42 identiteitskaart @ TC = 100°C
Ononderbroken Afvoerkanaalstroom, VGS @ 10V 30 A
IDM Gepulseerde Afvoerkanaalstroom 160 PD @TC = 25°C
Machtsdissipatie 110 Lineaire Derating Factor 0,71 W/°C van W
VGS-poort-aan-Bronvoltage ± 16 V
EAS kiezen de Energie van de Impulslawine uit? 210 mJ
IAR-Lawinestroom 25 een Herhaald OOR
Lawineenergie 11 mJ dv/dt Piekdiodeterugwinning dv/dt? 5.0 V/ns
TJ werkende Verbinding en -55 aan + 175
TSTG-de Waaier van de Opslagtemperatuur
Het solderen Temperatuur, 10 seconden 300 (1.6mm van geval) °C
Een deel van koerslijst
| INDUTOR 2.2UH NLFC322522T-2R2M-PF | TDK | Y6438385HU | SMD3225 |
| INDUTOR 10UH NLFC322522T-100K-PF | TDK | Y643780LHU | SMD3225 |
| C.I LTC3406ES5-1.8TRPBF | LINEAIR | LTC4 | Sot23-5 |
| C.I LTC3406ES5-1.5TRPBF | LINEAIR | LTD6 | Sot23-5 |
| C.I SN74HC273DWR | Ti | 87D71RK/85FKF2K | Soppenen-20 |
| Onderzoek 0R 5% RC0805JR-070RL |
YAGEO | 1645 | SMD0805 |
| Onderzoek 49R9 1% RC0805FR-0749R9L |
YAGEO | 1639 | SMD0805 |
| Onderzoek 6K8 1% RC0805FR-076K8L |
YAGEO | 1633 | SMD0805 |
| Onderzoek 0R 5% RC0603JR-070RL |
YAGEO | 1645 | SMD0603 |
| GLB 0805 10UF 16V X5R CL21A106KOQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| DIODO B330A-13-F | DIODEN | 1522/B330A | SMA |
| C.I MM74C922N | FAC | BH56AB | Onderdompeling-18 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| C.I CD4052BM96 | Ti | 69P1HQA | Soppenen-16 |
| Onderzoek 1210 220R 5% RC1210JR-07220RL | YAGEO | 1633 | SMD1210 |
| Onderzoek 1210 330R 5% RC1210JR-07330RL | YAGEO | 1641 | SMD1210 |
| GLB 0805 100NF 16V X7R 0805YC104KAT2A | AVX | 1622 | SMD0805 |
| Onderzoek 0805 1K5 1% RC0805FR-071K5L |
YAGEO | 1641 | SMD0805 |
| Onderzoek 0805 3K3 1% RC0805FR-073K3L |
YAGEO | 1641 | SMD0805 |
| C.I SN74LS373N | Ti | 1606+5 | Onderdompeling-20 |
| OPTOACOPLADOR 4N25M | FSC | 629Q | Onderdompeling-6 |
| Onderzoek 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
YAGEO | 1642 | SMD0805 |
| Onderzoek 0805 4K99 1% RC0805FR-074K99L |
YAGEO | 1643 | SMD0805 |
| Onderzoek 0805 75R 1% RC0805FR-0775RL |
YAGEO | 1643 | SMD0805 |
| GLB 0805 NPO 08055A221JAT2A VAN 220PF 50V | AVX | 1633 | SMD0805 |
| C.I SSD1961G40 | SOLOMON | L045AF | BGA40 |
| C.I LM336D-2.5 | Ti | 336-25/68MA6EG. | Soppenen-8 |
| C.I TPS61041DBVR | Ti | PHPI | Sot23-5 |
| DIODO 1N4756A | SEMTECH | SL0C2P0817Z185G | -41 |
| C.I CONVERTOR MCP3201-CI/P |
MICROCHIP | 1621SOD | Onderdompeling-8 |
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC