Q6012LH5 machtsmosfet ic Triacs Gevoelige Mosfet van de Poortmacht Triacs van Transistoralternistor
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Alternistortriacs (6 A aan 40 A)
Algemene Beschrijving
Teccor biedt tweerichtingsalternistors met huidige classificaties van 6 A aan 40 A en voltages van 200 V aan 1000 V als deel van de brede lijn van Teccor van thyristors aan. Alternistor van Teccor wordt specifiek ontworpen voor toepassingen die hoogst aanleidinggevende ladingen schakelen. Een speciale spaander biedt dezelfde prestaties aan aangezien twee thyristors (SCRs) omgekeerde parallel telegrafeerden (rijtjes), verstrekkend beter productgedrag dan standaardtriac. Een alternistor kan van het blokkeren aan geleidingsstaat voor één van beide polariteit van toegepast AC voltage met werkende wijzen in Kwadranten I, II, en III. worden teweeggebracht.
Deze nieuwe spaanderbouw verstrekt elektrisch twee afzonderlijke SCR structuren, die verbeterde dv/dt-kenmerken verstrekken terwijl het behouden van de voordelen van een single-chip apparaat.
Alle alternistors hebben verbindingen glas-gepassiveerd om betrouwbaarheid en parameterstabiliteit te verzekeren op lange termijn. Bieden de glas-gepassiveerde verbindingen van Teccor een betrouwbare barrière tegen verbindingsverontreiniging aan.
Het pakket van aan-218X van Teccor wordt ontworpen voor zwaar, regelmatig powerhandling vermogen. Het kenmerkt grote oogjeterminals voor gemak om de zware draad van de maataansluiting te solderen. Alle geïsoleerde pakketten hebben een standaardclassificatie van het isolatievoltage van 2500 V rms.
De variaties van apparaten in dit gegevensblad zijn worden geregeld beschikbaar voor de toepassingen die van het douaneontwerp. Raadpleeg de fabriek voor verdere informatie.
Eigenschappen
• Het hoge vermogen van de schommelingsstroom
• Glas-gepassiveerde verbindingen
• De isolatie van 2500 V ac voor de Pakketten van L, van J, en k-
• Het hoge commutating dv/dt
• Hoge statische dv/dt
Beproevingsomstandigheden
di/dt — Maximum tarief-van-verandering van de stroom van de op-staat
dv/dt — Kritieke tarief-van-stijging van het voltage van de van-staat bij geschatte VDRM-open poort
dv/dt (c) — De kritieke tarief-van-stijging van commutatievoltage bij geschatte VDRM en IT die (RMS) di/dt = 0,54 schatte IT (RMS) commutating /ms; de poort unenergized
I 2 t — Stroom RMS van de schommelings (non-repetitive) op-staat voor periode van Mej. 8,3 voor het smelten
IDRM — De piek huidige open poort van de van-staat; VDRM = maximum geschatte waarde
IGT — Gelijkstroom-de stroom van de poorttrekker in specifieke werkende kwadranten; VD = 12 V gelijkstroom
IGTM — De piekstroom van de poorttrekker
IH — Het houden huidig (gelijkstroom); open poort
HET (RMS) — RMS huidige de geleidingshoek van de op-staat van 360°
ITSM — Piek één-cyclus schommeling
PG (AV) — De gemiddelde dissipatie van de poortmacht
PGM — De piekdissipatie van de poortmacht; IGT ≦ IGTM
tgt — De poort controleerde inschakelentijd; IGT = 300 mA met 0,1 µs stijgingstijd
VDRM — Herhaald piek het blokkeren voltage
VGT — Gelijkstroom-het voltage van de poorttrekker; VD = 12 V gelijkstroom
VTM — Het piekvoltage van de op-staat bij maximum geschatte RMS stroom
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC