Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders > T410-600b-RT Triacs Gevoelige van de Poortelektronika Machtsmosfet Van geïntegreerde schakelingen Transistor4a TRIACS

T410-600b-RT Triacs Gevoelige van de Poortelektronika Machtsmosfet Van geïntegreerde schakelingen Transistor4a TRIACS

fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
TRIAC Logica - Gevoelige Poort 600 V 4 een Oppervlakte zet DPAK op
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiate
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
I de Waarde van ² t voor het smelten:
5.1 een ² s
Kritiek tarief van huidige stijging van op-staat IG = 2 x IGT, RT ≤ 100 NS:
50 A/µs
Piekpoortstroom:
4 A
De gemiddelde dissipatie van de poortmacht:
1 W
De temperatuurwaaier van de opslagverbinding:
- 40 aan + 150 °C
De werkende Waaier van de Verbindingstemperatuur:
- 40 aan + 125 °C
Hoogtepunt:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Inleiding

T4 Reeks

4A TRIACS

Hoofdlijnen

Symbool Waarde Eenheid
HET (RMS) 4 A
VDRM/VRRM 600 tot 800 V
IGT (Q1) 5 tot 35 mA

BESCHRIJVING

Gebaseerd op ST Snubberless/de technologie die van het Logicaniveau hoge commutatieprestaties verstrekken, is de T4-reeks geschikt voor gebruik op AC aanleidinggevende ladingen.

Zij worden geadviseerd voor toepassingen gebruikend universele motoren, electrovalves…. zoals het materiaal van de keukenhulp, machtshulpmiddelen, afwasmachines,… Beschikbaar in een volledig geïsoleerd pakket, T4… -… w-voldoet de versie aan UL-normen (ref. E81734).

Absolute Maximumclassificaties

Symbool Parameter Waarde Eenheid
HET (RMS) RMS de stroom van de op-staat (volledige sinusgolf) IPAK/DPAK/AAN-220AB Tc = 110°C 4 A
ISOWATT220AB Tc = 105°C
ITSM De niet herhaalde stroom van de schommelings piek op-staat (volledige cyclus, aanvankelijke Tj = 25°C) F = 50 Herz t = Mej. 20 30 A
F = 60 Herz t = Mej. 16,7 31
I ² t I de Waarde van ² t voor het smelten tp = Mej. 10 5.1 Een ² s
dI/dt Kritiek tarief van huidige stijging van op-staat IG = 2 x IGT, RT ≤ 100 NS F = 120 Herz Tj = 125°C 50 A/µs
IGM Piekpoortstroom tp = 20 µs Tj = 125°C 4 A
PG (AV) De gemiddelde dissipatie van de poortmacht Tj = 125°C 1 W

Tstg

Tj

De temperatuurwaaier van de opslagverbinding

De werkende waaier van de verbindingstemperatuur

- 40 aan + 150

- 40 aan + 125

°C

DPAK-Pakket Mechanische Gegevens

DPAK-de Afmetingen van de Voetdruk (in millimeter)

ISOWATT220AB pakket Mechanische Gegevens

IPAK-Pakket Mechanische Gegevens

Aan-220AB Pakket Mechanische Gegevens

VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123  van PMEG6010ER 1A

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
10pcs