BC807-25 machtsmosfet de transistor van het Transistorpnp algemene doel
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Hete voorraadaanbieding (verkoop)
| Artikelnummer. | Hoeveelheid | Merk | D/C | Pakket |
| 5M0380R | 2882 | FSC | 14+ | Aan-220 |
| AT24C04 | 2882 | ATMEL | 14+ | SOP8 |
| HT1381 | 2882 | HOLTEK | 14+ | SOP8 |
| L293E | 2887 | ST | 16+ | ONDERDOMPELING |
| BZX84B5V1 | 2888 | OP | 16+ | Dronkaard-23 |
| Tlp523-4 | 2888 | TOSHIBA | 13+ | Onderdompeling-16 |
| TPS63020DSJR | 2888 | Ti | 15+ | QFN |
| KBP210 | 2896 | Sep | 16+ | ONDERDOMPELING |
| Mp1542dk-LF-z | 2900 | MPS | 16+ | MSOP8 |
| STU3030 | 2900 | SAMHOP | 14+ | Aan-252 |
| IRS2092S | 2978 | IRL | 14+ | SOP16 |
| SMBJ36A | 2980 | VISHAY | 14+ | -214AA |
| A6259 | 2988 | SANKEN | 16+ | ONDERDOMPELING |
| IRF7309TRPBF | 2990 | IRL | 16+ | SOP8 |
| PIC16F877-20I/L | 2990 | MICROCHIP | 13+ | PLCC44 |
| IRFBE30P | 2997 | IRL | 15+ | Aan-220 |
| MUR1640CT | 2998 | OP | 16+ | Aan-220 |
| 1.5KE15A | 3000 | VISHAY | 16+ | -201AD |
| 1.5KE6.8CA | 3000 | VISHAY | 14+ | -201AD |
| 1N5359B | 3000 | OP | 14+ | -27 |
| 1n5819hw-7-F | 3000 | DIODEN | 14+ | Zode-123 |
| 2n7002w-7-F | 3000 | DIODEN | 16+ | Dronkaard-323 |
| 74HC1G04GW | 3000 | 16+ | Dronkaard-353 | |
| BD136 | 3000 | ST | 13+ | Aan-126 |
| BF620 | 3000 | 15+ | Dronkaard-89 | |
| BZD27C13 | 3000 | VISHAY | 16+ | SOD123 |
| BZX84-C12 | 3000 | 16+ | SOT23 | |
| CAT810LTBI | 3000 | OP | 14+ | Sot23-3 |
| DF01S | 3000 | VISHAY | 14+ | SOP4 |
| DTC124EU | 3000 | ROHM | 14+ | SOT323 |
Het algemene doeltransistor van BC807 PNP
EIGENSCHAPPEN
• Hoog stroom (max. 500 mA)
• Laag voltage (max. 45 V).
TOEPASSINGEN
• Algemeen doelomschakeling en versterking.
Fig.1 Vereenvoudigd overzicht (SOT23) en symbool.
BESCHRIJVING
PNP-transistor in een plastic pakket van SOT23.
NPN vult aan: BC817.
Het SPELDEN
| SPELD | BESCHRIJVING |
| 1 | basis |
| 2 | zender |
| 3 | collector |
BEPERKENDE WAARDEN
Overeenkomstig het Absolute Maximumclassificatiesysteem (CEI 134).
| SYMBOOL | PARAMETER | VOORWAARDEN | MIN. | MAX. | EENHEID |
| VCBO | collector-base voltage | open zender | − | −50 | V |
| VCEO | collector-zender voltage | open basis; IC = −10 mA | − | −45 | V |
| VEBO | emitter-base voltage | open collector | − | −5 | V |
| IC | collectorstroom (gelijkstroom) | − | −500 | mA | |
| ICM | piekcollectorstroom | − | −1 | A | |
| IBM | piekbasisstroom | − | −200 | mA | |
| Ptot | totale machtsdissipatie | Tamb ≤ 25 °C; nota 1 | − | 250 | mw |
| Tstg | opslagtemperatuur | −65 | +150 | °C | |
| Tj | verbindingstemperatuur | − | 150 | °C | |
| Tamb | werkende omgevingstemperatuur | −65 | +150 | °C |
Nota 1. Transistor opgezet op een FR4-printed-circuit raad.
PAKKEToverzicht
Plastic oppervlakte opgezet pakket; 3 lood SOT23

