Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders > FDS6990A machtsmosfet MOSFET van de Logicapowertrench van het Transistor Dubbele N Kanaal

FDS6990A machtsmosfet MOSFET van de Logicapowertrench van het Transistor Dubbele N Kanaal

fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
Mosfet Array 30V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiate
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
Drain-Source Voltage:
30 V
Gate-Source Voltage:
± 20 V
Operating Junction Temperature:
–55 to +150 °C
Storage Temperature:
–55 to +150 °C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient:
78 °C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Case:
40 °C/W
Hoogtepunt:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Inleiding

FDS6990A machtsmosfet MOSFET van de Logicapowertrench van het Transistor Dubbele N Kanaal

Algemene Beschrijving

Deze N-Channel MOSFETs van het Logicaniveau worden geproduceerd gebruikend proces van PowerTrench van de Halfgeleider van Fairchild het geavanceerde dat vooral is gemaakt om de weerstand van de op-staat te minimaliseren en toch handhaven superieure omschakelingsprestaties.

Deze apparaten zijn passend voor laag voltage en toepassingen op batterijen waar het lage in-line machtsverlies en de snelle omschakeling worden vereist.

Eigenschappen

· 7.5 A, 30 V. RDS () = 18 MW @ VGS = 10 V

RDS () = 23 MW @ VGS = 4,5 V

· Snelle omschakelingssnelheid

· Lage poortlast

· De technologie van de hoge prestatiesgeul voor uiterst - lage RDS ()

· Hoge macht en huidig behandelend vermogen

Absolute Maximumclassificaties Ta =25℃ tenzij anders vermeld

Symbool Parameter Classificaties Eenheden
VDSS Afvoerkanaal-bronvoltage 30 V
VGSS Poort-bronvoltage ± 20 V
Identiteitskaart

Ononderbroken afvoerkanaalstroom – (Nota 1a)

– Gepulseerd

7.5 A
20
PD

Machtsdissipatie voor Enige Verrichting (Nota 1a)

(Nota 1B)

(Nota 1c)

1.6 W
1.0
0,9
TJ, TSTG Het werken en Opslag de Waaier van de Verbindingstemperatuur – 55 tot +150

Hete voorraadaanbieding (verkoop)

Artikelnummer. Hoeveelheid Merk D/C Pakket

G5v-1-DC9 6255 OMRON 15+ ONDERDOMPELING
G5v-2-12VDC 7727 OMRON 14+ ONDERDOMPELING
G60N100BNTD 3498 FAIRCHILD 13+ Aan-264
G65sc51p-2 6939 CMD 16+ Onderdompeling-28
G6k-2f-y-5VDC 10509 OMRON 13+ Soppenen-8
GAL16V8D-25LP 5311 ROOSTER 16+ Onderdompeling-20
GBL08-E3/51 13704 VISHAY 14+ Onderdompeling-4
GBPC3508W-E4/51 8669 VISHAY 16+ Onderdompeling-4
GBU408 90000 Sep 13+ Pit-4
GBU6K 14556 LRC 13+ Slokje-4
GBU8M 17593 VISHAY 15+ Onderdompeling-4
Ge865-vierling 1285 TELIT 14+ GPRS
GIPS20K60 2254 ST 13+ MODULE
GL34A 4000 DIOTEC 13+ -213AA
GL41D 20000 GS 13+ LL41
GL852G-MNG12 7574 GENESYS 15+ Lqfp-48
GL865 DUBBEL 1174 TELIT 10+ GPRS
GLL4760-E3/97 24000 VISHAY 10+ Na
GP1S094HCZ0F 5752 SCHERP 13+ Onderdompeling-4
GS2978-CNE3 2125 GENNUM 15+ QFN16
GS2984-INE3 1336 GENNUM 13+ QFN
GS2988-INE3 6693 GENNUM 16+ QFN16
Gs3137-08-TAZ 2008 CONEXANT 09+ TSSOP
GSIB2580-E3/45 4938 VISHAY 16+ Gsib-5S
GSOT03C-GS08 7000 VISHAY 15+ Dronkaard-23
BTW-63+ 8824 MINI 15+ Dronkaard-23
BTW-84+ 4397 MINI 14+ Dronkaard-89
H11AA1SR2M 14966 FAIRCHILD 14+ Soppenen-6
H11AA4 15037 FAIRCHILD 14+ ONDERDOMPELING
H11AG1SR2M 4006 FAIRCHILD 14+ Soppenen-6

VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123  van PMEG6010ER 1A

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
10pcs