Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders > STGW20NC60VD machtsmosfet modulen-channel zeer Snelle PowerMESH IGBT

STGW20NC60VD machtsmosfet modulen-channel zeer Snelle PowerMESH IGBT

fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
IGBT 600 V 60 A 200 W Through Hole TO-247-3
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiate
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
Collector-Emitter Voltage:
600 V
Reverse Battery Protection:
20 V
Gate-Emitter Voltage:
± 20 V
Collector Current (pulsed):
100 A
Derating Factor:
1.6 W/°C
Storage Temperature:
-55 to 150 °C
Hoogtepunt:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Inleiding

STGW20NC60VD

N-CHANNEL 30A - 600V aan-247 zeer Snelle PowerMESH™ IGBT

Algemene Eigenschappen

TYPE VCES (Gezeten) VCE (Maximum) @25°C IC @100°C
STGW20NC60VD 600 V < 2="">30 A

VAN VERLIEZEN OMVAT STAARTstroom

■DE VERLIEZEN OMVATTEN DE ENERGIE VAN DE DIODEterugwinning

■HOOG HUIDIG VERMOGEN

■HOGE FREQUENTIEverrichting TOT 50 KHz

■ZEER ULTRASNELLE DE TERUGWINNINGS ANTIPARALLEL DIODE VAN SOFT

■DE LAGERE VERHOUDING VAN CRES /CIES

■NIEUWE GENERATIEproducten MET STRAKKERE PARAMETERdistributie

BESCHRIJVING

Gebruikend de recentste die hoogspanningstechnologie op een gepatenteerde strooklay-out wordt gebaseerd, heeft STMicroelectronics een gevorderde familie van IGBTs, PowerMESH™ IGBTs, met opmerkelijke prestaties ontworpen. Het achtervoegsel „V“ identificeert een familie voor hoge frequentietoepassingen die wordt geoptimaliseerd.

TOEPASSINGEN

HOGE FREQUENTIEomschakelaars

■SMPS EN PFC IN ZOWEL HARDE SCHAKELAAR ALS RESONERENDE TOPOLOGIEËN

■UPS

■MOTORbestuurders

Absolute Maximumclassificaties

Symbool Parameter Waarde Symbool
VCES Collector-zender Voltage (VGS = 0) 600 V
VECR Omgekeerde Batterijbescherming 20 V
VGE Poort-zender Voltage ± 20 V
IC (Ononderbroken) collectorstroom bij 25°C (#) 60 A
IC (Ononderbroken) collectorstroom bij 100°C (#) 30 A
ICM (1) (Gepulseerde) collectorstroom 100 A
Als Dioderms Voorwaartse Stroom bij TC = 25°C 30 A
PTOT Totale Dissipatie bij TC = 25°C 200 W
Deratingsfactor 1.6 W/°C
Tstg Opslagtemperatuur – 55 tot 150 °C
Tj Werkende Verbindingstemperatuur – 55 tot 150 °C

(1 die) Impulsbreedte door max. verbindingstemperatuur wordt beperkt.

Hete voorraadaanbieding (verkoop)

Artikelnummer. Hoeveelheid Merk D/C Pakket
R2A15908SP 7631 RENESAS 16+ Soppenen-28
R4363 8626 HARRIS 16+ Aan-263
R5F100LEAFA#V0 1933 RENESAS 12+ Lqfp-64
RA30H2127M 1228 MITSUBISH 12+ H2S
RA35H1516M 1255 MITSUBISH 15+ ONDERDOMPELING
RB160L-90 TE25 65000 ROHM 15+ Zode-106
RB160M-60 155000 ROHM 14+ Zode-123
RB450F 12000 ROHM 14+ Dronkaard-323
RB551V-30 9000 ROHM 16+ Zode-323
RC4558DR 31000 Ti 16+ Soppenen-8
RCLAMP0504F.TCT 64000 SEMTECH 15+ Dronkaard-363
RCLAMP0504S.TCT 65000 SEMTECH 15+ Sot23-6
RCLAMP0524P.TCT 158000 SEMTECH 13+ SLP2510P8
RD06HVF1 2253 MITSUBISH 14+ Aan-220
REF03GS 5373 ADI 16+ Soppenen-8
REF192FSZ 4252 ADVERTENTIE 13+ Soppenen-8
REF192GSZ 6359 ADVERTENTIE 16+ Soppenen-8
REF195GSZ 3984 ADVERTENTIE 16+ Soppenen-8
Ref198fs-SPOEL 5545 ADVERTENTIE 06+ Soppenen-8
REF3030AIDBZR 4334 Ti 15+ Dronkaard-23
REF3040AIDBZR 4160 Ti 15+ Dronkaard-23
REF5020AIDR 3759 Ti 16+ Soppenen-8
REF5025AIDGKR 7693 Ti 15+ Msop-8
REF5025AIDR 5866 Ti 16+ Soppenen-8
REG113NA-3/3K 6375 Ti 15+ Sot23-5
RFANT5220110A2T 48000 WALSIN 16+ SMD
RGP02-20E-E3/54 82000 VISHAY 16+ -41
RHRP3060 17467 FSC 14+ Aan-220
RJH60F7DPQ 7148 RENESAS 13+ Aan-247
RN1907FE 161000 TOSHIBA 15+ Dronkaard-563

VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123  van PMEG6010ER 1A

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
10pcs