Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders > BTA08-600BW3G machtsmosfet Transistor8a TRIACS SNUBBERLESS TRIACS

BTA08-600BW3G machtsmosfet Transistor8a TRIACS SNUBBERLESS TRIACS

fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
TRIAC Standard 600 V 8 A Through Hole TO-220AB
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiate
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
RMS on-state current (full sine wave):
8 A
I² t Value for fusing:
36 A² s
Critical rate of rise of on-state current:
50 A/µs
Peak gate current:
4 A
Average gate power dissipation:
1 W
Storage junction temperature:
- 40 to + 150°C
Hoogtepunt:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Inleiding

BTA/BTB08 en T8-Reeks

SNUBBERLESS™, LOGICAniveau & NORM

8A TRIACS

HOOFDLIJNEN:

Symbool Waarde Eenheid
HET (RMS) 8 A
VDRM/VRRM 600 en 800 V
IGT (Q1) 5 tot 50 mA

BESCHRIJVING

Beschikbaar of in door-gaten of oppervlakte-onderstel pakketten, BTA/BTB08 en T8 triac is de reeks geschikt voor algemeen doelac omschakeling. Zij kunnen als ON/OFF functie in toepassingen zoals statische relais, het verwarmen regelgeving, de beginnende kringen van de inductiemotor… of voor de verrichting van de fasecontrole in lichte dimmers, de controlemechanismen van de motorsnelheid worden gebruikt,…

De snubberless versies (BTA/BTB… de reeks van W en T8-) worden speciaal geadviseerd voor gebruik op aanleidinggevende ladingen, dankzij hun hoge commutatieprestaties. Door een intern ceramisch stootkussen te gebruiken, verstrekt de BTA-reeks voltage geïsoleerd lusje die (geschat bij 2500V RMS) aan UL-normen voldoen (Dossier ref.: E81734)

ABSOLUTE MAXIMUMclassificaties

Symbool Parameter Waarde Eenheid
HET (RMS) RMS de stroom van de op-staat (volledige sinusgolf)

DPAK/D ² PAK

IPAK/AAN-220AB

Tc = 110°C 8 A
Aan-220AB Ins. Tc = 100°C
ITSM De niet herhaalde stroom van de schommelings piek op-staat (volledige cyclus, aanvankelijke Tj = 25°C) F = 50 Herz t = Mej. 20 80 A
F = 60 Herz t = Mej. 16,7 84
I ² t I de Waarde van ² t voor het smelten tp = Mej. 10 36 Een ² s
dI/dt

Kritiek tarief van stijging van de stroom van de op-staat

IG = 2 x IGT, RT ≤ 100 NS

F = 120 Herz Tj = 125°C 50 A/µs
IGM Piekpoortstroom tp = 20 µs Tj = 125°C 4 A
PG (AV) De gemiddelde dissipatie van de poortmacht Tj = 125°C 1 W

Tstg

Tj

De temperatuurwaaier van de opslagverbinding

De werkende waaier van de verbindingstemperatuur

- 40 aan + 150

- 40 aan + 125

°C

Hete voorraadaanbieding (verkoop)

Artikelnummer. Hoeveelheid Merk D/C Pakket
LTC4357CMS8 1042 LT. 16+ MSOP8
MSP430F149IPMR 848 Ti 14+ QFP
Pe-65351 654 IMPULS 14+ DIP6
SIM900 760 SIM 14+ Na
TEA1523P 866 PHILIPS 16+ DIP8
At24c512c-SSHD 972 BIJ 16+ SOP8
ADG5433BRUZ 1078 ADI 13+ TSSOP
740L6001 1184 FAIRCHILD 15+ DIPSOP6
EM2860 1290 EMPIA 16+ QFP
TDA7386 1396 ST 16+ PIT
M48Z35-70PC1 1502 ST 14+ ONDERDOMPELING
C8051f320-GQR 1608 SILICIUM 14+ QFP
PIC16C622A-04I/P 1714 MICROCHIP 14+ ONDERDOMPELING
MX29GL128ELT2I-90G 1820 MXIC 16+ Tsop-56
BTS621L1 1926 16+ Aan-263
HCNW2611 2032 AVAGO 13+ Soppenen-8
STM32F103C8T6 2138 ST 15+ LQPF48
LT3756EMSE-2#PBF 2244 LT. 16+ Msop-16
BD82QM67/SLJ4M 2350 INTEL 16+ BGA
A3977SEDTR 2456 ALLEGRO 14+ PLCC44
RHRG30120 2562 FSC 14+ Aan-3P
FT232RL 2668 FTDI 14+ SSOP28
L6228D 2774 ST 16+ SOP24
LPC2136 2880 16+ LQFP64
1N4937 2986 OP 13+ -41
5KP24A 3092 VISHAY 15+ R-6
74C922N 3198 FSC 16+ ONDERDOMPELING
IRF1404PBF 3304 IRL 16+ Aan-220
M41T94MQ6 3410 ST 14+ Soppenen-16
OP275G 3516 ADVERTENTIE 14+ Onderdompeling-8

VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123  van PMEG6010ER 1A

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
20pcs