2SC5242 3 Epitaxial Originele het Siliciumtransistor van Pin Transistor NPN
multi emitter transistor
,silicon power transistors
2SC5242 3 Epitaxial Originele het Siliciumtransistor van Pin Transistor NPN
Epitaxial het Siliciumtransistor 2SC5242 van NPN
Toepassingen
• De Versterker van de hifiaudio-uitvoer
• De Versterkereigenschappen van de algemeen Doelmacht
• Hoog Huidig Vermogen: IC = 15A
• Hoge Machtsdissipatie: 130watts
• Hoge Frequentie: 30MHz.
• Hoogspanning: VCEO=230V
• Brede S.O.A voor betrouwbare verrichting.
• Uitstekende Aanwinstenlineariteit voor lage THD.
• Aanvulling aan 2SA1962/FJA4213.
• De thermische en elektrokruidmodellen zijn beschikbaar
• De zelfde transistor is ook beschikbaar in: --TO264 pakket,
2SC5200/FJL4315: 150 watts --TO220 pakket,
FJP5200: 80 watts --TO220F pakket, FJPF5200: 50 watts
Absolute Maximumratings* Ta = 25°C tenzij anders vermeld
Symbool | Parameter | Classificaties | Eenheden |
BVCBO | Collector-Base Voltage | 230 | V |
BVCEO | Collector-zender Voltage | 230 | V |
BVEBO | Emitter-Base Voltage | 5 | V |
IC | Collectorstroom (gelijkstroom) | 15 | A |
IB | Basisstroom | 1.5 | A |
PD | Totale Apparatendissipatie (TC=25°C) Derate boven 25°C |
130 1.04 |
W W/°C |
TJ, TSTG | Verbinding en Opslagtemperatuur | -50-+150 | °C |
* Deze classificaties zijn beperkende waarden waarboven het nut van om het even welk halfgeleiderapparaat kan worden geschaad.
Thermische Characteristics* Ta=25°C tenzij anders vermeld
Symbool | Parameter | MAX. | Eenheid |
RθJC | Thermische Weerstand, Verbinding tegen Geval | 0,96 | W/°C |
* Apparaat opgezet op minimumstootkussengrootte