Mosfet van de omschakelingsmacht Transistorixfh60n50p3 Snelle Intrinsieke Gelijkrichter
npn smd transistor
,silicon power transistors
Mosfet van de omschakelingsmacht Transistorixfh60n50p3 Snelle Intrinsieke Gelijkrichter
Polar3TM HiperFETTM IXFT60N50P3 VDSS = 500V
Machtsmosfet IXFQ60N50P3 I D25 = 60A
IXFH60N50P3 RDS () ≤ 100mΩ
N-Channel Verhogingswijze
Geschatte lawine
Snelle Intrinsieke Gelijkrichter
Symbool | Beproevingsomstandigheden | Maximumclassificaties |
VDSS VDGR |
TJ = 25°C aan 150°C TJ = 25°C aan 150°C, RGS = 1MΩ |
500 V 500 V |
VGSS VGSM |
Ononderbroken Tijdelijke werkkracht |
± 30 V ± 40 V |
I D25 I DM |
TC = 25°C TC = 25°C, Impulsbreedte door TJM wordt beperkt die |
60 A 150 A |
I A EAS |
TC = 25°C TC = 25°C |
30 A 1 J |
dv/dt | IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 150°C | 35 V/ns |
PD | TC = 25°C | 1040 W |
TJ TJM Tstg |
-55… +150 °C 150 °C -55… +150 °C |
|
TL Tsold |
1.6mm (0.062in.) van Geval voor 10s Plastic Lichaam 10 seconden |
300 °C 260 °C |
Md | Opzettende Torsie (aan-247 & aan-3P) | 1.13 / 10 Nm/lb.in. |
Gewicht |
Aan-268 Aan-3P Aan-247 |
4,0 g 5,5 g 6,0 g |
Eigenschappen
Snelle Intrinsieke Gelijkrichter
Geschatte lawine
Lage RDS () en QG
Lage Pakketinductantie
Voordelen
Hoge Machtsdichtheid
Gemakkelijk op te zetten
Ruimtebesparingen
Toepassingen
Schakelaar-wijze en resonerend-Wijzevoedingen
Gelijkstroom-gelijkstroom de Bestuurders van de Convertorsz Laser
AC en gelijkstroom-Motoraandrijving
Robotica en Servocontroles
Fig. 1. Outputkenmerken @ TJ = 25ºC Fig. 2. Uitgebreide Outputkenmerken @ TJ = 25ºC
Fig. 3. Outputkenmerken @ TJ = 125ºC Fig. 4. RDS () wordt genormaliseerd aan identiteitskaart = 30A-Waarde die versus. Verbinding Temperatuur
Fig. 5. RDS () wordt genormaliseerd aan identiteitskaart = 30A-Waarde die versus. 6. Maximumafvoerkanaalstroom versus Geval Afvoerkanaal CurrentFig. Temperatuur
Fig. 7. Inputtoegang Fig. 8. Transconductance