Plastic bijkomende de machtsmosfet van DarliCM GROUPon, de Transistors van de Siliciummacht 2N6038
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Plastic bijkomende de machtsmosfet van DarliCM GROUPon, de Transistors van de Siliciummacht 2N6038
De plastic transistors van de het siliciummacht van DarliCM GROUPon bijkomende worden ontworpen voor algemeen doelversterker en low−speed omschakelingstoepassingen.
• De hoge Huidige Aanwinst van gelijkstroom — hFE = 2000 (Type) @ IC = 2,0 Adc
• Collector-zender het Ondersteunen Voltage — @ mAdc 100
VCEO (sus) = 60 Vdc (Min) — 2N6035, 2N6038 = 80 Vdc
(Min) — 2N6036, 2N6039
• Door:sturen Beïnvloed Tweede Analyse Huidig Vermogen IS/b = 1,5 Adc @ 25 Vdc
• Monolithische Bouw met Ingebouwde Base-Emitter Weerstanden aan LimitELeakage-Vermenigvuldiging
• Ruimtebesparende Hoge prestaties-aan-Kosten Verhouding het Plastic Pakket van aan-225AA
Classificatie | Symbool | Waarde | Eenheid |
Collector−Emittervoltage 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCEO |
40 60 80 |
Vdc |
Collector−Basevoltage 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCBO |
40 60 80 |
Vdc |
Emitter−Basevoltage | VEBO | 5.0 | Vdc |
Collectorstroom Ononderbroken Piek |
IC |
4.0 8.0 |
Adc Apk |
Basisstroom | IB | 100 | mAdc |
Totale Apparatendissipatie @ TC = 25°C Derate boven 25°C |
PD |
40 320 |
W mW/°C |
Totale Apparatendissipatie @ TC = 25°C Derate boven 25°C |
PD |
1.5 12 |
W mW/°C |
Het werken en Opslag de Waaier van de Verbindingstemperatuur | TJ, Tstg | – 65 tot +150 | °C |
Kenmerk | Symbool | Maximum | Eenheid |
Thermische Weerstand, Junction−to−Case | RJC | 3.12 | °C/W |
Thermische Weerstand, Junction−to−Ambient | RJA | 83.3 | °C/W |
Beklemtoont het overschrijden van Maximumclassificaties het apparaat kan beschadigen. De maximumclassificaties zijn spannings slechts classificaties. De functionele verrichting boven de Geadviseerde Exploitatievoorwaarden is niet impliciet. De uitgebreide blootstelling beklemtoont boven de Geadviseerde Exploitatievoorwaarden kan apparatenbetrouwbaarheid beïnvloeden.
Kenmerk | Symbool | Min | Maximum | Eenheid |
VAN KENMERKEN | ||||
Collector−Emitter het Ondersteunen Voltage (IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCEO (sus) |
40 60 80 |
-- -- -- |
Vdc |
Collector−Cutoffstroom (VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N6034 (VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N6036, 2N6039 |
ICEO |
-- -- -- |
100 100 100 |
RE |
Collector−Cutoffstroom (VCE = 40 Vdc, VBE (weg) = 1,5 Vdc) 2N6034 (VCE = 60 Vdc, VBE (weg) = 1,5 Vdc) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 Vdc, VBE (weg) = 1,5 Vdc) 2N6036, 2N6039 (VCE = 40 Vdc, VBE (weg) = 1,5 Vdc, TC = 125C) 2N6034 (VCE = 60 Vdc, VBE (weg) = 1,5 Vdc, TC = 125C) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 Vdc, VBE (weg) = 1,5 Vdc, TC = 125C) 2N6036, 2N6039 |
ICEX |
-- -- -- -- -- -- |
100 100 100 500 500 500 |
RE |
Collector−Cutoffstroom (VCB = 40 Vdc, D.W.Z. = 0) 2N6034 (VCB = 60 Vdc, D.W.Z. = 0) 2N6035, 2N6038 (VCB = 80 Vdc, D.W.Z. = 0) 2N6036, 2N6039 |
ICBO |
-- -- -- |
0,5 0,5 0,5 |
mAdc |
Emitter−Cutoffstroom (VBE = 5,0 Vdc, IC = 0) | IEBO | -- | 2.0 | mAdc |
OP KENMERKEN | ||||
De Huidige Aanwinst van gelijkstroom (IC = 0,5 Adc, VCE = 3,0 Vdc) (IC = 2,0 Adc, VCE = 3,0 Vdc) (IC = 4,0 Adc, VCE = 3,0 Vdc) |
hFE |
500 750 100 |
-- 15.000 -- |
-- |
Het Voltage van de Collector−Emitterverzadiging (IC = 2,0 Adc, IB = mAdc 8,0) (IC = 4,0 Adc, IB = mAdc 40) |
(Gezeten) VCE |
-- -- |
2.0 3.0 |
Vdc |
Het Voltage van de Base−Emitterverzadiging (IC = 4,0 Adc, IB = mAdc 40) |
(Gezeten) VBE | -- | 4.0 | Vdc |
Base−Emitter op Voltage (IC = 2,0 Adc, VCE = 3,0 Vdc) |
VBE () | -- | 2.8 | Vdc |
DYNAMISCHE KENMERKEN | ||||
Small−Signal Current−Gain (IC = 0,75 Adc, VCE = 10 Vdc, F = 1,0 Mhz) |
|hfe| | 25 | -- | -- |
Outputcapacitieve weerstand (VCB = 10 Vdc, D.W.Z. = 0, F = 0,1 Mhz) 2N6034, 2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039 |
Maïskolf |
-- -- |
200 100 |
pF |
*Indicates JEDEC Geregistreerde Gegevens.