FGH60N60SFDTU machtsmosfet Module 600V, 60A-Gebiedseinde IGBT
fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
IGBT Field Stop 600 V 120 A 378 W Through Hole TO-247-3
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiate
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
Collector to Emitter Voltage:
600 V
Gate to Emitter Voltage:
± 20 V
Collector Current @ TC = 25℃:
120 A
Pulsed Collector Current @ TC = 25℃:
180 A
Operating Junction Temperature:
-55 to +150 ℃
Storage Temperature Range:
-55 to +150 ℃
Hoogtepunt:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Inleiding
FGH60N60SFD
600V, 60A-Gebiedseinde IGBT
Eigenschappen
• Hoog huidig vermogen
• Laag verzadigingsvoltage: (Gezeten) VCE =2.3V @ IC = 60A
• Hoge inputimpedantie
• Snelle omschakeling
• Volgzame RoHS
Toepassingen
• Inductie het Verwarmen, UPS, SMPS, PFC
Algemene Beschrijving
Gebruikend de Nieuwe Technologie van het Gebiedseinde IGBT, bieden de nieuwe reeksen van Fairchild van Gebiedseinde IGBTs de optimale prestaties voor Inductie het Verwarmen, de toepassingen van UPS, van SMPS aan en PFC-waar de lage geleiding en omschakelingsverliezen essentieel zijn.
Absolute Maximumclassificaties
| Symbool | Beschrijving | Classificaties | Eenheden |
| VCES | Collector aan Zendervoltage | 600 | V |
| VGES | Poort aan Zendervoltage | ± 20 | V |
| IC | Collectorstroom @ TC = 25℃ | 120 | A |
| Collectorstroom @ TC = 100℃ | 60 | A | |
| ICM (1) | Gepulseerde Collectorstroom @ TC = 25℃ | 180 | A |
| PD | Maximummachtsdissipatie @ TC = 25℃ | 378 | W |
| Maximummachtsdissipatie @ TC = 100℃ | 151 | W | |
| TJ | Werkende Verbindingstemperatuur | -55 tot +150 | ℃ |
| Tstg | De Waaier van de opslagtemperatuur | -55 tot +150 | ℃ |
| TL | Maximumloodtemperaturen. voor het solderen Doeleinden, 1/8“ van geval 5 seconden | 300 | ℃ |
Nota's: 1: Herhaalde die test, Impulsbreedte door max. juntiontemperatuur wordt beperkt
Mechanische Afmetingen
AAN-247AB (FKS-PAKKETcode 001)
VERWANTE PRODUCTEN
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
20pcs