Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders > De machtsmosfet van IRFB31N20DPBF smd dubbele machtsmosfet Machtsmosfet Transistor???????? HEXFET® machtsmosfet

De machtsmosfet van IRFB31N20DPBF smd dubbele machtsmosfet Machtsmosfet Transistor???????? HEXFET® machtsmosfet

fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
N-kanaal 200 V 31A (Tc) 3,1 W (Ta), 200 W (Tc) Doorgaand gat TO-220AB
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiate
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
Ononderbroken Afvoerkanaalstroom, VGS @ 10V:
21 A
Gepulseerde afvoerkanaalstroom:
124 A
Lineaire derating factor:
1.3 W/°C
Poort-aan-bronvoltage:
± 30 V
Piekdiodeterugwinning dv/dt:
2.1 V/ns
Hoogtepunt:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Inleiding

HEXFET? Machtsmosfet

VDSS Maximum RDS () Identiteitskaart
200V 0.082Ω 31A

Toepassingen

  • ? Hoge Frequentie gelijkstroom-gelijkstroom convertors?
  • Loodvrij

Voordelen

  • ? Lage Poort om Omschakelingsverliezen te verminderen Af te voeren?
  • Volledig zie Gekenmerkte Capacitieve weerstand met inbegrip van Efficiënte COSS om Ontwerp te vereenvoudigen, (1001)?
  • Volledig Gekenmerkte Lawinevoltage en Stroom

Absolute Maximumclassificaties

Parameter Max. Eenheid
Identiteitskaart @ TC = 25°C Ononderbroken Afvoerkanaalstroom, VGS @ 10V 31 ‡ A
Identiteitskaart @ TC = 100°C Ononderbroken Afvoerkanaalstroom, VGS @ 10V 21 A
IDM Gepulseerd Afvoerkanaal Huidige  124 A
PD @TA = 25°C Machtsdissipatie 3.1 W
PD @TC = 25°C Machtsdissipatie 200 W
Lineaire Derating-Factor 1.3 W/°C
VGS Poort-aan-bronvoltage ± 30 V
dv/dt Piekdiodeterugwinning dv/dt ƒ 2.1 V/ns

TJ

TSTG

Werkende Verbinding en

De Waaier van de opslagtemperatuur

-55 aan + 175 °C
Het solderen Temperatuur, 10 seconden 300 (1.6mm van geval) °C
Opzettende torsie, 6-32 of M3 srew 10 lbf•binnen (1.1N•m)

Hete voorraadaanbieding (verkoop)

Artikelnummer. Q'ty MFG D/C Pakket
Max1636eap-t 6200 STELREGEL 10+ SSOP
MAC8M 9873 OP 10+ Aan-220
MJD117-1G 8000 OP 14+ Aan-263
MAX1683EUK+T 6350 STELREGEL 16+ DRONKAARD
L3G4200D 2729 ST 15+ LGA16
PTN78020AAH 400 Ti 15+ ONDERDOMPELING
MAX4214EUK+T 5968 STELREGEL 10+ DRONKAARD
MX25L12873FM2I-10G 4500 MXIC 15+ SOP
Attiny10-TSHR 3000 ATMEL 15+ SOT23
PTN78060WAD 980 Ti 15+ ONDERDOMPELING
PIC18F2520-I/SO 4598 MICROCHIP 15+ SOP
MC33269DR2-5.0 4554 OP 15+ SOP
MCP3421AOT-E/CH 5302 MICROCHIP 16+ DRONKAARD
MMBFJ108 10000 FAIRCHILD 16+ Dronkaard-23
PIC18F8520-I/PT 4273 MICROCHIP 14+ TQFP
PIC18F4550-I/PT 4438 MICROCHIP 14+ QFP
MC68HC908QY4CPE 3832 FREESCALE 14+ ONDERDOMPELING
ZTX751 16060 ZETEX 11+ Aan-92
MC9S12C64MFAE 4732 FREESCALE 14+ QFP
ZTX651 29000 ZETEX 11+ Aan-92
LTC1650AIS 2802 LINEAIR 11+ SOP

VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123  van PMEG6010ER 1A

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
10pcs