Bericht versturen
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Huis
producten
fabrikanten
Ongeveer ons
middelen
Verzend RFQ
downloaden
Huis > producten > elektronische ic spaanders > Van de het algemene doeltransistor van STP20NM60FP npn de Machtsmosfet Transistorn-channel MDmesh? Machtsmosfet

Van de het algemene doeltransistor van STP20NM60FP npn de Machtsmosfet Transistorn-channel MDmesh? Machtsmosfet

Van de het algemene doeltransistor van STP20NM60FP npn de Machtsmosfet Transistorn-channel MDmesh? Machtsmosfet
Van de het algemene doeltransistor van STP20NM60FP npn de Machtsmosfet Transistorn-channel MDmesh? Machtsmosfet
fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220FP
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiate
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
Drain-source Voltage (VGS = 0):
600 V
Drain-gate Voltage (RGS = 20 kΩ):
600 V
Gate- source Voltage:
±30 V
Peak Diode Recovery voltage slope:
15 V/ns
Storage Temperature:
-65 to 150 °C
Max. Operating Junction Temperature:
150 °C
Hoogtepunt:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Inleiding

STP20NM60-STP20NM60FP-STW20NM60

STB20NM60 - STB20NM60-1

N-CHANNEL 600V - 0.25Ω - MOSFET MDmesh™ van 20A aan-220/FP/D ² /I ² PAK/TO-247

Algemene Eigenschappen

TYPE VDSS RDS () Identiteitskaart

STP20NM60

STP20NM60FP

STB20NM60

Stb20nm60-1

STW20NM60

600 V

600 V

600 V

600 V

600 V

< 0="">

< 0="">

< 0="">

< 0="">

< 0="">

20 A

20 A

20 A

20 A

20 A

■TYPISCHE RDS () = 0,25 Ω

■DE HOGE MOGELIJKHEDEN VAN DV/DT EN VAN DE LAWINE

■100% GETESTE LAWINE

■LAGE INPUTcapacitieve weerstand EN POORTlast

■DE LAGE WEERSTAND VAN DE POORTinput

BESCHRIJVING

MDmesh™ is een nieuwe revolutionaire MOSFET technologie die het Veelvoudige Afvoerkanaalproces met de horizontale lay-out van PowerMESH™ van het Bedrijf associeert. Het resulterende product heeft een opmerkelijke lage op-weerstand, een indrukwekkend hoge dv/dt en uitstekende lawinekenmerken. De goedkeuring van de merkgebonden de strooktechniek van het Bedrijf breCM GROUP algemene dynamische prestaties op die beduidend beter zijn dan dat van de producten van de gelijkaardige concurrentie.

TOEPASSINGEN

De familie MDmesh™ is zeer geschikt om machtsdichtheid te verhogen die van hoogspanningsconvertors systeemminiaturisatie en hogere efficiency toestaan.

Absolute Maximumclassificaties

Symbool Parameter Waarde Eenheid

AAN-220/D ² PAK/

I ² PAK/TO-247

 Aan-220FP
VDS Afvoerkanaal-bronvoltage (VGS = 0) 600 V
VDGR Afvoerkanaal-poort Voltage (RGS = 20 kΩ) 600 V
VGS Poort bronvoltage ±30 V
Identiteitskaart (Ononderbroken) afvoerkanaalstroom bij TC = 25°C 20 20 (*) A
Identiteitskaart (Ononderbroken) afvoerkanaalstroom bij TC = 100°C 12.6 12.6 (*) A
IDM (•?) (Gepulseerde) afvoerkanaalstroom 80 80 (*) A
PTOT Totale Dissipatie bij TC = 25°C 192 45 W
Deratingsfactor 1.2 0,36 W/°C
dv/dt (1) Piek het voltagehelling van de Diodeterugwinning 15 V/ns
VISO Het Voltage van isolatiewinthstand (gelijkstroom) - 2500 V
Tstg Opslagtemperatuur -65 tot 150 °C
Tj Max. Werkende Verbindingstemperatuur 150 °C

(•??) Impulsbreedte door veilig werkend gebied wordt beperkt dat

(1) ISD ≤ 20 A, di/dt ≤ 400 A/µs, VDD ≤ V (BR) /DSS, Tj ≤ TJMAX

(*) Beperkt slechts door maximum toegestane temperatuur

Pakket

Intern Schematisch Diagram

Hete voorraadaanbieding (verkoop)

Artikelnummer. Q'ty MFG D/C Pakket
SAP16NY 200 SANKEN 06+ Aan-3P
LM393DR2G 25000 OP 15+ Soppenen-8
LM2931AD2T-5.0R4G 3000 OP 15+ Dronkaard-263
Mxl683-af-r 3680 MAXLINEAR 16+ QFN
Mpu-9150 6050 INVENSEN 14+ QFN
PIC16F648A-I/P 5108 MICROCHIP 14+ ONDERDOMPELING
LM2936DTX-3.3 3608 NSC 14+ Dronkaard-252
MSP430G2553IPW28R 6862 Ti 16+ TSSOP
PIC18F65K90-I/PT 4323 MICROCHIP 14+ TQFP
MCP809T-315I/TT 5656 MICROCHIP 11+ Dronkaard-23
L6385ED013TR 3895 ST 14+ SOP8
LA6358N 3950 SANYO 09+ Soppenen-8
LM317HVT 500 NSC 14+ Aan-220
CY7B933-400JXC 1046 CIPRES 15+ PLCC
LNBH24PPR 1633 ST 14+ Ssop-36
PCA9538PW 12240 14+ TSSOP
MCP73831T-2DCI/OT 5584 MICROCHIP 16+ Sot23-5
PTH08T230WAD 800 Ti 14+ ONDERDOMPELING
LMH0344SQ 2972 NSC 13+ Wqfn-16
LMH0002SQ 1632 Ti 14+ QFN
Lm2598sx-ADJ 3000 NSC 15+ Aan-263

VERWANTE PRODUCTEN
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Beeld deel # Beschrijving
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
10pcs
Neem contact met ons op
Adres: Kamer 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
E-mailen: sales@cmhk-ic.com
Telefoon: 86-755-88367702
producten

De Spaander van flashgeheugenic

Programmeerbare IC-Spaander

De Spaanders van computeric

HOOFDbestuurder ICs

Energiebeheer ICs

Chips met geïntegreerde schakelingen

MCU Microcontroller-eenheid

Vertoningsbestuurder ICs

IGBT-voedingsmodule

De Spaanders van versterkeric
Ongeveer ons
Ongeveer ons ISO-Certificaat Kwaliteitscontrole Privacybeleid Hulpcentrum
Privacybeleid | De Goede Kwaliteit van China De Spaander van flashgeheugenic Leverancier. Copyright © 2023-2024 icmemorychip.com . Alle rechten voorbehoudena.