Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders > IRF740PBF-BE3 KANAAL aan-220 Machtsmosfet dubbele machtsmosfet

IRF740PBF-BE3 KANAAL aan-220 Machtsmosfet dubbele machtsmosfet

fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
N-Channel 400 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiation
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
Drain-source Voltage (VGS = 0):
400 V
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ):
400 V
Gate-source Voltage:
± 20 V
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC:
10 A
Drain Current (continuous) at Tc = 100 o C:
6.3 A
Hoogtepunt:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Inleiding

Koerslijst


PM200RSA060 120 MITSUBISH 13+ MOUDLE
Msm5219bgs-k-7 550 OKI 14+ QFP
Ps11003-c 500 MITSUBISH 12+ MODULE
Mb87020pf-g-BND 3531 FUJITSU 14+ QFP
MA2820 7689 SHINDENG 16+ PIT
7MBP150RTB060 210 FUJI 12+ MODULE
MBM200HS6B 629 HITACHI 14+ MODULE
PM25RSK120 320 MITSUBISH 10+ MOUDLE
Qm150dy-h 150 MITSUBISH 13+ MODULE
PWB130A40 120 SANREX 14+ MODULE
LA1185 3928 SANYO 14+ SIP9
BSM25GP120 458 EUPEC 15+ MODULE
Lm2750ld-ADJ 3000 NSC 14+ QFN
NCN1188MUTAG 8480 OP 16+ UQFN
NCN1154MUTAG 8400 OP 16+ UQFN
LM2745MTCX 3000 NSC 14+ Tssop-14
L78L05ABD 10000 ST 15+ SOP8
At24c08bn-SH 5000 ATMEL 15+ Soppenen-8
Ps21563-p 500 MITSUBISH 12+ MODULE
BNX003-01 2058 MURATA 14+ ONDERDOMPELING
LTC4441IMSE 6207 LINEAIR 14+ MSOP
PA0173NLT 7386 IMPULS 16+ SOP
P0926NL 8560 IMPULS 16+ SOP
PM10CSJ060 145 MITSUBISH 10+ MOUDLE
PH150S280-24 914 Lambda 16+ IGBT
Lm75cimx-5 4325 NSC 14+ Soppenen-8
PDT15016 392 NIEC 14+ MODULE
CXA3834M 2531 SONY 15+ SOP
NS8002 40000 NSIWAY 16+ SOP
Mp8707en-LF-z 5854 MPS 16+ SOP
MAP3202 3234 MAGNACHIP 16+ SOP
Ps20660-MRZ 200 MITSUBISH 05+ MODULE
PK55GB80 80 SANREX 12+ MODULE
BSM200GD60DLC 368 EUPEC 14+ MODULE
Lv8401v-tlm-e 5128 OP 16+ SSOP
2DI150D-050C 991 FUJI 14+ MODULE
Qm50ha-h 300 MITSUBISH 13+ MODULE

IRF740 N - KANAAL aan-220 Machtsmosfet dubbele machtsmosfet

■TYPISCHE RDS () = 0,48 Ω

■UITERST HOOG DV/DT-VERMOGEN

■100% GETESTE LAWINE

■ZEER LAGE INTRINSIEKE CAPACITIEVE WEERSTAND

■GEMINIMALISEERDE POORTlast

BESCHRIJVING

Dit machtsmosfet wordt ontworpen gebruikend het proces van de het NETWERKbekleding  van het bedrijf geconsolideerde strook op lay-out-gebaseerde. Deze die technologie past en verbetert de prestaties aan met standaarddelen uit diverse bronnen worden vergeleken.

TOEPASSINGEN

HOGE HUIDIGE OMSCHAKELING

■NOODVOEDING (UPS)

■DC/DC COVERTERS VOOR INDUSTRIËLE TELECOMMUNICATIE,

EN VERLICHTINGSmateriaal.

VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123  van PMEG6010ER 1A

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
5pcs