IRF9540NPBF 3 Pin Transistor, Flitsic MOSFET Van geïntegreerde schakelingen van Chip Power
multi emitter transistor
,silicon power transistors
IRF2807 Ic van de transistorflits MOSFET van de de Elektronikamacht van Spaanderic Van geïntegreerde schakelingen
Outputeigenschappen:
l Geavanceerde Procestechnologie
l Dynamische dv/dt Classificatie
l 175°C Werkende Temperatuur
l Snelle Omschakeling
l P-Channel Geschatte de Lawine van l volledig
Zeer belangrijke Specificaties:
De vijfde Generatie HEXFETs van Internationale Gelijkrichter gebruikt geavanceerde verwerkingstechnieken uiterst te bereiken - lage op-weerstand per siliciumgebied.
Dit die voordeel, met de snelle omschakelingssnelheid en het ruw gemaakte apparatenontwerp wordt gecombineerd dat HEXFET-Machtsmosfets goed - gekend zijn voor, voorziet de ontwerper van een uiterst efficiënt en betrouwbaar apparaat voor gebruik in een grote verscheidenheid van toepassingen.
Pakket aan-220 heeft universeel voor alle commercieel-industriële toepassingen op de niveaus van de machtsdissipatie aan ongeveer 50 watts de voorkeur. De lage thermische weerstand en de lage pakketkosten van aan-220 dragen tot zijn brede goedkeuring door de industrie bij
Absolute Maximumclassificaties
Identiteitskaart @ TC = Ononderbroken het Afvoerkanaalstroom van 25°C, VGS @ 10V
identiteitskaart 82 @ TC = Ononderbroken het Afvoerkanaalstroom van 100°C, VGS @ 10V 58 A
IDM Gepulseerd Afvoerkanaal Huidige 280 PD @TC = 25°C
Machtsdissipatie 230 Lineaire Derating Factor 1,5 W/°C van W
VGS-poort-aan-Bronvoltage ± 20 V
IAR-Lawine Huidige 43 A
Energie 23 mJ dv/dt van de OOR de Herhaalde Lawine
Piekdiodeterugwinning dv/dt 5,9 V/ns TJ
Werkende Verbinding en -55 aan + 175
TSTG-de Waaier van de Opslagtemperatuur het Solderen Temperatuur, 10 seconden 300 (1.6mm van geval) °C Steuntorsie, 6-32 of M3 srew 10 lbf•binnen (1.1N•m)
Een deel van koerslijst
| GLB 0603 56PF 16V 0603N560K160CT | WALSIN | 16/04/27 | SMD0603 |
| C.I SP3203ECY-L/TR | SIPEX | 0616 | Tssop-20 |
| C.I AT89S52-24PU | ATMEL | 1602 | Onderdompeling-40 |
| DIODO M7 | MIC | 1625 | SMA |
| DIODO BZX84C15LT1G | OP | 1630/Y4 | Dronkaard-23 |
| Mmbd4148-7-F | DIODEN | 1617/KA2 | Dronkaard-23 |
| TRANS MMBTA42LT1G | OP | 1635/1D | Dronkaard-23 |
| DIODO. BYG20J-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| TRANS NDD04N60ZT4G | OP | 1143/A43/4N60ZG | Aan-252 |
| C.I UBA3070T | 1333 | Soppenen-8 | |
| GLB 0402 1UF 6.3V X7R GRM155R70J105KA12D | MURATA | IA6026DP4 | SMD0402 |
| GLB 0402 47NF 25V X7R GRM155R71E473JA88D | MURATA | IA6026DP4 | SMD0402 |
| GLB 0402 100NF 16V X7R 55 GRM155R71C104JA88D | MURATA | IA6009DI8 | SMD0402 |
| GLB ELETR 470UF 16V RF1C471MTBF35008012 | NANTUNG | ||
| GLB 0805 10UF 6,3V X5R JMK212BJ106KD-T | TAIYOYUDEN | 1609 | SMD0805 |
| OPTO 4N25M | FSC | 637Q | Onderdompeling-6 |
| TRIAC BT151-500R | 603 | Aan-220 |
Het BEETJE Winbond TW SPI van W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G
PF48F4400P0VBQEK Nieuwe en originele voorraden
DSPIC30F3011-30I/PT de NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD van flashgeheugenic
IR2110PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
De Spaander van het Flashgeheugenic van S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
W25Q80DVSNIG periodieke Flitsspaander 3V het Geheugengeïntegreerde schakeling van Spi van de 8M BEETJE Dubbele Vierling
MOS Tube Field Effect Single-Chip-Aandrijvingspwm Controlador Module IRF520
MAX485, RS485-Module TTL aan rs-485 Module TTL aan 485