Nieuwe/Originele de Machtsmosfet van NPN BIPOLAIRE Transistor 120 Volts 0,5 Ampèren van 2N1893
fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 800 mW Through Hole TO-5AA
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiate
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
Collector Current:
0.5 mA
Collector-Base Voltage:
120
Fast Switching:
30 nS
Meets:
MIL-S-19500/182
Hoogtepunt:
electronic pressure sensors
,hall effect sensor ic
Inleiding
| CLASSIFICATIE | SYMBOOL | MAX. | EENHEID |
| Collector-zender Voltage | VCEO | 80 | Vdc |
| Collector-zender Voltage | VCER | 100 | Vdc |
| Collector-Base Voltage | VCBO | 120 | Vdc |
| Emitter-Base Voltage | VEBO | 7.0 | Vdc |
| Ononderbroken collectorstroom - | IC | 0,5 | Adc |
| Totale Apparatendissipatie @ T A = 25oC Derate boven 25oC | PD | 0,8 | Watts mW/oC |
| Totale Apparatendissipatie @ T C = 25oC Derate boven 25oC | PD | 3.0 | Watts mW/oC |
| Werkende Temperatuurwaaier | TJ | -55 tot +200 | oC |
| De Waaier van de opslagtemperatuur | TS | -55 tot +200 | oC |
| Thermische Weerstand, Verbinding tegen Omringend | RqJA | 219 | oC/W |
| Thermische Weerstand, Verbinding tegen Geval | RqJA | 58 | oC/W |
Mechanisch Overzicht
| KENMERKEN | SYMBOOL | MIN. | TYPE. | MAX. | EENHEID |
| Van Kenmerken | |||||
| Collector-zender Analysevoltage (I C = 100 mAdc, RBE = 10 ohms) (1) | BVCER | 100 | -- | ||
| Collector-zender het Ondersteunen Voltage (1) (I C = mAdc 30, IB = 0) (1) | BVCEO | 80 | -- | ||
| Collector-Base Analysevoltage (I C = mAdc 100, D.W.Z. = 0) | BV (BR) CBO | 120 | -- | Vdc | |
| Emitter-Base Analysevoltage (D.W.Z. = 100 mAdc, IC = 0) | BV (BR) CBO | 7.0 | -- | ||
| De Stroom van de collectorscheiding (V-CITIZENS BAND = 90 Vdc, D.W.Z. = 0) (V-CITIZENS BAND = 90 Vdc, D.W.Z. = 0, Ta = 150o C) | ICBO | -- | 0,01 | mAdc | |
| De Stroom van de zenderscheiding (VEB = 5,0 Vdc, IC = 0) | IEBO | -- | 0,01 | mAdc | |
| Op Kenmerken | |||||
| D.C. Current Gain (IC = 0,1 mAdc, VCE = 10 Vdc) (I C = 10mAdc, VCE = 10 Vdc) (1) (I C = 10MADC, VCE = 10 VDC, TA = -55O C) (1) (I C = 150mAdc, VCE = 10 Vdc) (1) | hFE | 20 | -- | -- | |
| Collector-zender Verzadigingsvoltage (1) (IC = 150 mAdc, IB = mAdc 15) | (Gezeten) VCE | -- | 0,5 | Vdc | |
| Base-Emitter Verzadigingsvoltage (1) (Ic = mAdc 150, IB = mAdc 15) | (Gezeten) VCE | -- | 1.3 | Vdc | |
| Omvang van de kleine voorwaartse huidige verhouding van signaalkort:sluiten (I C = 50 mAdc, VCE = 10 Vdc, F = 20 Mhz) | /hfe/ | 3 | 10 | ||
| Outputcapacitieve weerstand (V-CITIZENS BAND = 10 Vdc, D.W.Z. = 0, F = 1,0 Mhz) | COBO | 5 | 15 | pF | |
| Inputimpedantie = (I C = 5,0 mAdc, VCB = 10 Vdc, F = 1.0kHz) | hib | 4.0 | 8.0 | Ohms | |
| De Verhouding van de voltageterugkoppeling (I C = 5,0 mAdc, VCB = 10 Vdc, F = kHz 1,0) | hrb | -- | 1.5 | X 10-4 | |
| Klein-signaal Huidige Aanwinst (I c = 1,0 mAdc, VcB = 5.0Vdc, F = kHz 1,0) (I C = mAdc 5,0, VCB = 10 Vdc, F = kHz 1,0) | hfe | 35 | 100 | -- | |
| Outputtoegang (I C = 5,0 mAdc, VCB = 10 Vdc, F = kHz 1,0) | haardplaat | -- | 0,5 | mmho | |
| Impulsreactie (Vcc = 20Vdc, Ic = 500mAdc) | ton + tof | -- | 30 | NS |
(1) impulstest: Mej. van de impulsbreedte £ 300, Plichtscyclus £ 2,0%.
VERWANTE PRODUCTEN
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
100pcs